Silicon晶振,Silicon石英晶振,SiliconCrystal

当前位置：首页 » 进口晶振 » Silicon晶振

: 6G放大器晶振/美国Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG

6G放大器晶振/美国Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG，尺寸3.20mmx2.50mm,频率10MHZ，输出逻辑LVCMOS ，电压1.7V ~ 3.6V ，脚位4-SMD，OSC振荡器，有源晶体振荡器，MEMS振荡器，SMD振荡器，小体积振荡器，低抖动有源振荡器，低电压振荡器，低相位振荡器，Si501/2/3 CMEMS振荡器系列提供单片、基于MEMS的IC取代传统晶体振荡器。硅实验室的CMEMS该技术将标准CMOS+MEMS结合在一个单片IC中，以提供集成、高质量和高可靠性振荡器。每个设备都经过工厂测试并配置为保证性能符合数据表规范电压、工艺、温度、冲击、振动和老化。

SMD振荡器产品很适合用于存储（SATA/SAS/PCIe），通用处理器，工业控制器，嵌入式控制器，电机控制，流量控制，办公室/家庭自动化，IP摄像头/监视，显示和控制面板，户外电子，多功能打印机，办公设备等.6G放大器晶振/美国Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG.

了解详情立即咨询

: 510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器

510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器,尺寸5.0*3.2mm,频率106.25MHZ，输出逻辑LVPECL,电压3.3V,频率稳定性25ppm,XO时钟振荡器（标准），LV-PECL输出晶振，有源差分晶振，差分晶体振荡器，6GWIFI差分晶振，低电压差分振荡器，低抖动差分晶振，低耗能差分晶振，高性能差分晶振，仪器设备差分晶振，6G光模块差分晶振，无线网络差分振荡器，网络设备专用差分晶振，OSC差分晶振，有源差分晶振，贴片型差分振荡器.

差分晶振产品具有低抖动低电压的特点，主要应用范围SONET/SDH/OTN网络，千兆以太网，光纤通道/SAS/SATA，PCI Express总线，3G-SDI/HD-SDI/SDI，电信，交换机/路由器，FPGA/ASIC时钟生成等领域.510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器.

了解详情立即咨询

: Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振

Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振，尺寸7.0*5.0mm,频率125MHZ，输出逻辑LVPECL，电压2.5V，频率稳定性7ppm ,LVPECL差分输出晶振，LVPECL差分晶体振荡器，有源晶体振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，6G路由器差分晶振，无线网络差分振荡器，网络专用差分晶振，超声波晶振，HD视频晶振，测试测量专用差分晶振，时钟应用差分晶振，小型设备专用差分晶振，产品具有低电压低抖动的特点，非常适合用于可视化智能家居，娱乐设备，数字视频，仪器仪表，6G路由器，超声波等领域

有源晶振产品适用于范围比较广泛，常常用于超声波/SDH，网络，SD/HD视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域.Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振.

了解详情立即咨询

Renesas推出三款无磁感应式位置传感器芯片: Renesas推出三款无磁感应式位置传感器芯片

Renesas推出三款无磁感应式位置传感器芯片
瑞萨此次推出的RAA2P3226,RAA2P3200及RAA2P4200三款无磁电感式位置传感器芯片,共享核心技术优势,同时针对不同应用场景进行专项优化,覆盖高速,高精度,低速等多类需求,兼顾性能与实用性,为各行业客户提供定制化解决方案.三款产品均采用无磁电感式传感原理,基于涡流检测技术,通过简单的金属靶标与单线圈/双线圈配置,即可实现旋转,线性或弧形位置的精准检测,无需使用磁体,从根源上解决了传统磁传感器受杂散磁场干扰的痛点,同时具备非接触式工作特性,大幅降低维护成本,延长产品使用寿命,即便在高温,粉尘,潮湿,机械振动及强电磁干扰等恶劣环境下,仍能保持稳定运行,适配工业,医疗,机器人等多领域严苛场景需求.

【更多详情】