手机版
Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振
Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振，尺寸7.0*5.0mm,频率125MHZ，输出逻辑LVPECL，电压2.5V，频率稳定性7ppm ,LVPECL差分输出晶振，LVPECL差分晶体振荡器，有源晶体振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，6G路由器差分晶振，无线网络差分振荡器，网络专用差分晶振，超声波晶振，HD视频晶振，测试测量专用差分晶振，时钟应用差分晶振，小型设备专用差分晶振，产品具有低电压低抖动的特点，非常适合用于可视化智能家居，娱乐设备，数字视频，仪器仪表，6G路由器，超声波等领域
有源晶振产品适用于范围比较广泛，常常用于超声波/SDH，网络，SD/HD视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域.Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振.
Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振，尺寸7.0*5.0mm,频率125MHZ，输出逻辑LVPECL，电压2.5V，频率稳定性7ppm ,LVPECL差分输出晶振，LVPECL差分晶体振荡器，有源晶体振荡器，石英晶体振荡器，OSC晶振，6G路由器差分晶振，无线网络差分振荡器，网络专用差分晶振，超声波晶振，HD视频晶振，测试测量专用差分晶振，时钟应用差分晶振，小型设备专用差分晶振，产品具有低电压低抖动的特点，非常适合用于可视化智能家居，娱乐设备，数字视频，仪器仪表，6G路由器，超声波等领域
有源晶振产品适用于范围比较广泛，常常用于超声波/SDH，网络，SD/HD视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域.Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振.
Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振 参数表
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Supply Voltage1
V DD
3.3 V option
2.97
3.3
3.63
V
2.5 V option
2.25
2.5
2.75
V
1.8 V option
1.71
1.8
1.89
V
Supply Current
IDD
Output enabled
LVPECL
CML
LVDS
CMOS
—
—
—
—
111
99
90
81
121
108
98
88
mA
Tristate mode
—
60
75
mA
Output Enable (OE)2
VIH
0.75 x V DD
—
—
V
VIL
—
—
0.5
V
Operating Temperature Range
TA
–40
—
85
ºC
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Nominal Frequency1,2
fO
LVPECL/LVDS/CML
10
—
945
MHz
CMOS
10
—
160
MHz
Initial Accuracy
fi
Measured at +25 °C at time of
shipping
—
±1.5
—
ppm
Temperature Stability1,3
–7
–20
–50
—
+7
+20
+50
ppm
Aging
fa
Frequency drift over first year
—
—
±3
ppm
Frequency drift over 20 year
life
—
—
±10
ppm
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Total Stability
Temp stability = ±7 ppm
—
—
±20
ppm
Temp stability = ±20 ppm
—
—
±31.5
ppm
Temp stability = ±50 ppm
±61.5
ppm
Powerup Time4
tOSC
10
ms
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
LVPECL Output Option1
VO
mid-level
V DD – 1.42
—
V DD – 1.25
V
VOD
swing (diff)
1.1
—
1.9
VPP
VSE
swing (single-ended)
0.55
—
0.95
VPP
LVDS Output Option2
VO
mid-level
1.125
1.20
1.275
V
VOD
swing (diff)
0.5
0.7
0.9
VPP
CML Output Option2
VO
2.5/3.3 V option mid-level
V DD – 1.30
V
1.8 V option mid-level
V DD – 0.36
V
VOD
2.5/3.3 V option swing (diff)
1.10
1.50
1.90
VPP
1.8 V option swing (diff)
0.35
0.425
0.50
VPP
CMOS Output Option3
V OH
I OH= 32 mA
0.8 x V DD
V DD
V
VOL
I OL= 32 mA
0.4
V
Rise/Fall time (20/80%)
tR,t F
LVPECL/LVDS/CML
350
ps
CMOS with CL= 15 pF
1
ns
Symmetry (duty cycle)
SYM
LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:
V DD – 1.3 V
1.25 V (diff)
V DD/2
45
55
%
Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振 尺寸图
产品特性：
可用于任何速率输出
频率从10兆赫到945兆赫
并选择1.4 GHz的频率
具有卓越性能的第三代DSPLL®
抖动性能
频率稳定性比
SAW有源晶体振荡器
内部固定晶体频率
确保高可靠性和低成本
变老
可用的CMOS、LVPECL、LVDS和CML输出
3.3、2.5和1.8 V电源选项
行业标准5 x 7毫米
包装和引脚
无铅/符合RoHS
更多相关Silicon晶振型号
| Manufacturer Part Number原厂代码 | Manufacturer品牌 | Series型号 | Frequency 频率 | Voltage - Supply电压 | Frequency Stability频率稳定度 |
| 510ABA200M000AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA200M000AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 530EC125M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 125MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC106M250DG | Silicon振荡器 | Si531 | 106.25MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC187M500DG | Silicon振荡器 | Si531 | 187.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC000110DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531EC200M000DG | Silicon振荡器 | Si531 | 200MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531AC000110DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531AC148M500DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 535EB156M250DG | Silicon振荡器 | Si535 | 156.25MHz | 2.5V | ±20ppm |
| 510CBA25M0000BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511SBA156M250BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 156.25MHz | 1.8V | ±50ppm |
| 501JAA24M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501BAA16M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501JAA24M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501AAA27M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501AAA25M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501JAA40M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 40MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501AAA24M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501EAA48M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501AAA27M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501EAA48M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501JAA25M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501BAA50M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 50MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501AAA50M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 50MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501EAA48M0000DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501AAA25M0000DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501HCA27M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501ABA8M00000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 8MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±30ppm |
| 501HCA12M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 12MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501JCA24M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501AAA24M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501BCA16M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCA24M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501HCA26M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 26MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501JAA25M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501BCA16M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501EAA48M0000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501BAA16M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501BAA16M0000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501JAA24M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501AAA27M0000BAG | Silicon晶振 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501ACA10M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501JAA40M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 40MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501ACA10M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501JCA10M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501HCA12M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 12MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501JCA25M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501HCA27M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501AAA50M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 50MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
| 501ABA8M00000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 8MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±30ppm |
| 501HCA27M0000DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501ABA8M00000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 8MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±30ppm |
| 501JCA10M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501ACA10M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501JCA20M0000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 20MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501BCA16M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501BCA16M0000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCA100M000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCA100M000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCA100M000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCAM032768DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501HCAM032768DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501JCAM032768CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
联系人：李玉龙
电话：86-0755-27839151
手机：13828756848
QQ:987260611
地址：深圳市宝安区中心区商都赛格电子大厦1C48
订购：Silicon差分晶振,530EC125M000DG,Si530有源振荡器,6G路由器晶振
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *订购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- 瑞萨差分振荡器/6G交换机晶振/XLP335100.000JX6I
瑞萨差分振荡器/6G交换机晶振/XLP335100.000JX6I，尺寸3.2*2.5mm,频率100MHZ，电压3.3V，输出逻辑LVPECL，OSC差分振荡器，XO时钟振荡器，低电压差分晶振，100MHZ差分晶振，LVPECL输出晶振，3225mm差分晶振，LVPECL差分晶体振荡器，差分有源振荡器，贴片差分晶振，六脚差分振荡器，高质量差分晶振，高性能差分振荡器，以太网专用差分晶振，智能家居差分晶振，测试测量差分晶振，路由器差分晶振，转换机差分晶振，高频差分晶振，低电压差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低抖动差分晶振，具有超高的稳定性能。
Renesas XL设备（XO和VCXO选项）750到890fs典型相位的超精密晶体振荡器在12kHz到20MHz带宽上的抖动。广泛提供频率范围从0.750MHz到1350MHz，XL系列有源晶体振荡器使用一系列专用ASIC，带有一个键专注于降噪技术。
三阶德尔塔-西格玛调制器将噪声降低到可与传统的大块石英和SAW相媲美振荡器。交货期短、成本低、噪音低、范围广频率范围，卓越的环境性能，XL设备是传统技术的绝佳选择。这个XL（XO时钟振荡器选项）装置的稳定性高达±20ppm，XL（VCXO选项）设备的APR为±50ppm。任一选项为标准和定制提供极其快速的交付频率。瑞萨差分振荡器/6G交换机晶振/XLP335100.000JX6I.
- 6G放大器晶振/美国Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG
6G放大器晶振/美国Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG，尺寸3.20mmx2.50mm,频率10MHZ，输出逻辑LVCMOS ，电压1.7V ~ 3.6V ，脚位4-SMD，OSC振荡器，有源晶体振荡器，MEMS振荡器，SMD振荡器，小体积振荡器，低抖动有源振荡器，低电压振荡器，低相位振荡器，Si501/2/3 CMEMS振荡器系列提供单片、基于MEMS的IC取代传统晶体振荡器。硅实验室的CMEMS该技术将标准CMOS+MEMS结合在一个单片IC中，以提供集成、高质量和高可靠性振荡器。每个设备都经过工厂测试并配置为保证性能符合数据表规范电压、工艺、温度、冲击、振动和老化。
SMD振荡器产品很适合用于存储（SATA/SAS/PCIe），通用处理器，工业控制器，嵌入式控制器，电机控制，流量控制，办公室/家庭自动化，IP摄像头/监视，显示和控制面板，户外电子，多功能打印机，办公设备等.6G放大器晶振/美国Silicon晶振Si501/501ACA10M0000CAG.
- 6G模块晶振,X1G0045010004,EPSON贴片振荡器,SG7050CCN有源晶振
6G模块晶振,X1G0045010004,EPSON贴片振荡器,SG7050CCN有源晶振，尺寸7.00x5.00x1.50mm,频率48MHZ,输出逻辑CMOS，爱普生有源晶振，有源晶体振荡器，CMOS输出振荡器，有源贴片晶振，石英晶体振荡器，7050mm有源晶振，SPXO晶体振荡器，OSC晶振，低抖动晶振，低电压有源晶振，低抖动有源晶振，高品质有源晶振，高性能有源晶振，无线网络设备晶振，6G模块专用晶振。
有源晶振产品很适合用于智能家居，6G模块，光纤通道，测试与测量，医疗产品，无线模块，6G室外基站，路由器，光通信等领域.6G模块晶振,X1G0045010004,EPSON贴片振荡器,SG7050CCN有源晶振.
晶振厂家
- 陶瓷谐振器
- 陶瓷滤波器
- 石英晶振
- 32.768KHz
- 贴片晶振
- 声表面滤波器
- 5070贴片晶振
- 6035贴片晶振
- 5032贴片晶振
- 3225贴片晶振
- 2520贴片晶振
- 2016贴片晶振
- 1612贴片晶振
- 1210贴片晶振
- 8045贴片晶振
进口晶振
- KDS晶振
- 爱普生晶振
- 精工晶振
- 西铁城晶振
- 村田晶振
- 京瓷晶振
- NDK晶振
- 大河晶振
- 美国CTS晶振
- IDT晶振
- 微晶晶振
- 康纳温菲尔德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- Abracon晶振
- 维管晶振
- 美国ECS晶振
- 美国日蚀晶振
- 美国拉隆晶振
- 美国格林雷工业晶振
- 美国SiTime晶振
- 美国Pletronics晶振
- 美国Statek晶振
- 新西兰瑞康晶振
- ILSI晶振
- FOX晶振
- Fujicom晶振
- AEK晶振
- CRYSTEK晶振
- Geyer晶振
- Quartzcom晶振
- qantek晶振
- Quarztechnik晶振
- EUROQUARTZ晶振
- Cardinal晶振
- FRE-TECH晶振
- KVG晶振
- Wi2wi晶振
- AEL晶振
- Transko晶振
- Suntsu晶振
- Mmdcomp晶振
- MERCURY晶振
- MTRONPTI晶振
- ACT晶振
- MTI-MILLIREN晶振
- LIHOM晶振
- CTECH晶振
- rubyquartz晶振
- OSCILENT晶振
- NAKA晶振
- Shinsung晶振
- ITTI晶振
- SMI晶振
- PDI晶振
- NJR晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- SUNNY晶振
- ARGO晶振
- Renesas瑞萨晶振
- Skyworks晶振
台产晶振
有源晶振
雾化片
32.768K晶振
冠杰订购热线：0755-27839151
电话：86-0755-27839151
手机：13828756848
QQ：987260611
地址：深圳市宝安区中心区赛格电子大厦1C48
添加微信
