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510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器,尺寸5.0*3.2mm,频率106.25MHZ，输出逻辑LVPECL,电压3.3V,频率稳定性25ppm,XO时钟振荡器（标准），LV-PECL输出晶振，有源差分晶振，差分晶体振荡器，6GWIFI差分晶振，低电压差分振荡器，低抖动差分晶振，低耗能差分晶振，高性能差分晶振，仪器设备差分晶振，6G光模块差分晶振，无线网络差分振荡器，网络设备专用差分晶振，OSC差分晶振，有源差分晶振，贴片型差分振荡器.
差分晶振产品具有低抖动低电压的特点，主要应用范围SONET/SDH/OTN网络，千兆以太网，光纤通道/SAS/SATA，PCI Express总线，3G-SDI/HD-SDI/SDI，电信，交换机/路由器，FPGA/ASIC时钟生成等领域.510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器.
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器,尺寸5.0*3.2mm,频率106.25MHZ，输出逻辑LVPECL,电压3.3V,频率稳定性25ppm,XO时钟振荡器（标准），LV-PECL输出晶振，有源差分晶振，差分晶体振荡器，6GWIFI差分晶振，低电压差分振荡器，低抖动差分晶振，低耗能差分晶振，高性能差分晶振，仪器设备差分晶振，6G光模块差分晶振，无线网络差分振荡器，网络设备专用差分晶振，OSC差分晶振，有源差分晶振，贴片型差分振荡器.
差分晶振产品具有低抖动低电压的特点，主要应用范围SONET/SDH/OTN网络，千兆以太网，光纤通道/SAS/SATA，PCI Express总线，3G-SDI/HD-SDI/SDI，电信，交换机/路由器，FPGA/ASIC时钟生成等领域.510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器.
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器 参数表
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Supply Voltage
V DD
3.3 V option
2.97
3.3
3.63
V
2.5 V option
2.25
2.5
2.75
V
1.8 V option
1.71
1.8
1.89
V
Supply Current
IDD
CMOS, 100 MHz,
single-ended
—
21
26
mA
LVDS
(output enabled)
—
19
23
mA
LVPECL
(output enabled)
—
39
43
mA
HCSL
(output enabled)
—
41
44
mA
Tristate
(output disabled)
—
—
18
mA
OE "1" Setting
VIH
See Note
0.80 x V DD
—
—
V
OE "0" Setting
VIL
See Note
—
—
0.20 x V DD
V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor*
RI
—
45
—
kΩ
Operating Temperature
TA
–40
—
85
oC
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Nominal Frequency
FO
CMOS, Dual CMOS
0.1
—
212.5
MHz
FO
LVDS/LVPECL/HCSL
0.1
—
250
MHz
Total Stability*
Frequency Stability Grade C
–30
—
+30
ppm
Frequency Stability Grade B
–50
—
+50
ppm
Frequency Stability Grade A
–100
—
+100
ppm
Temperature Stability
Frequency Stability Grade C
–20
—
+20
ppm
Frequency Stability Grade B
–25
—
+25
ppm
Frequency Stability Grade A
–50
—
+50
ppm
Startup Time
TSU
Minimum V DD until output
frequency (FO) within specification
—
—
10
ms
Disable Time
TD
FO> 10 MHz
—
—
5
µs
FO< 10 MHz
—
—
40
µs
Enable Time
TE
FO> 10 MHz
—
—
20
µs
FO< 10 MHz
—
—
60
µs
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
CMOS Output Logic
High
V OH
0.85 x V DD
—
—
V
CMOS Output Logic
Low
VOL
—
—
0.15 x V DD
V
CMOS Output Logic
High Drive
I OH
3.3 V
–8
—
—
mA
2.5 V
–6
—
—
mA
1.8 V
–4
—
—
mA
CMOS Output Logic
Low Drive
I OL
3.3 V
8
—
—
mA
2.5 V
6
—
—
mA
1.8 V
4
—
—
mA
CMOS Output Rise/Fall
Time
(20 to 80% V DD)
TR/T F
0.1 to 212.5 MHz,
CL = 15 pF
0.45
0.8
1.2
ns
0.1 to 212.5 MHz,
CL = no load
0.3
0.6
0.9
ns
LVPECL Output
Rise/Fall Time
(20 to 80% VDD)
TR/T F
100
—
565
ps
HCSL Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD)
TR/T F
100
—
470
ps
LVDS Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD)
TR/T F
350
—
800
ps
LVPECL Output
Common Mode
VOC
50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended
—
V DD –
1.4 V
—
V
LVPECL Output Swing
VO
50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended
0.55
0.8
0.90
VPPSE
LVDS Output Common
Mode
VOC
100 Ω line-line
V DD= 3.3/2.5 V
1.13
1.23
1.33
V
100 Ω line-line, V DD= 1.8 V
0.83
0.92
1.00
V
LVDS Output Swing
VO
Single-ended, 100 Ω differential
termination
0.25
0.35
0.45
VPPSE
HCSL Output Common
Mode
VOC
50 Ω to ground
0.35
0.38
0.42
V
HCSL Output Swing
VO
Single-ended
0.58
0.73
0.85
VPPSE
Duty Cycle
DC
All formats
48
50
52
%
510ABA106M250BAGR Silicon芯科晶振 6G电信晶振 Si510差分振荡器 尺寸图
SMD振荡器产品特性：
支持以下任何频率
100kHz至250MHz
DLD 片内LDO电源调节器
电源噪声滤波 3.3、2.5或1.8 V工作电压
差异(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS输出选项 可选集成1:2 CMOS
扇出缓冲器
OE上的不良抑制和通电
行业标准5 x 7、3.2 x 5、 和2.5 x 3.2毫米封装
无铅，符合RoHS标准
–40至85摄氏度操作
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| 510FBA100M000AAGR | Silicon Labs | Si510 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
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| 511BBA100M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA125M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA125M000AAGR | Silicon Labs | Si511 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
联系人：李玉龙
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M675是一种VCSO（电压控制SAW振荡器）低抖动频率源时钟生成。集成SAW（声表面波）延迟线实现高Q VCO（电压受控振荡器）功能导致低输出相位噪声和非常低的抖动。M675-01有源晶振有多种型号可供选择频率从125到175MHz。M675-02提供500至700MHz。最低保证±100ppm的拉力范围符合GbE要求。（它还完全满足±50 ppm的最小拉力范围通常需要的规范。）行业标准Kvco（VCO增益）提供完全的替换兼容性。M675非常适合锁相环实现、时钟和数据恢复电路，以及电信和光纤中的其他定时应用网络系统（例如SONET/SDH）。M675-01-BB,Renesas晶振,6G基站晶振,M675差分振荡器.
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