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X2AEECNANF-24.000000,X2系列晶振,台产泰艺晶振

X2AEECNANF-24.000000,X2系列晶振,台产泰艺晶振

X2AEECNANF-24.000000,X2系列晶振,台产泰艺晶振,物料编码为X2AEECNANF-24.000000,型号为X2系列晶振,频率为24MHz,精度为±30ppm,负载电容为8pF,工作温度为-20℃~70℃,尺寸为3.2*2.5mm,台产泰艺晶振,无源晶振,石英晶体谐振器,3225晶振,石英晶振,贴片晶振,SMD晶体,四脚晶振,3225谐振器,特点:小型,轻型,薄型。广泛应用在电子手表,智能耳机,蓝牙耳机,智能手环等产品上。

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E3SB25E001803E,无源晶体谐振器,3225贴片晶振

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E3SB25E001803E,无源晶体谐振器,3225贴片晶振,物料编码E3SB25E001803E,型号E3SB系列晶振,频率为25MHz,精度为±20ppm,负载电容12PF,工作温度范围:-40℃~85℃,尺寸为3.2*2.5mm,无源晶体谐振器,石英晶体谐振器,贴片晶振,台产进口晶振,晶振厂家,无源晶振,3225贴片晶振,3225石英谐振荡,石英晶振适用于数码相机,数码游戏机,数码玩具,数码电视,数码手机等产品。

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E3SB32E001500E,石英晶体谐振器,台产鸿星高性能晶振

E3SB32E001500E,石英晶体谐振器,台产鸿星高性能晶振

E3SB32E001500E,石英晶体谐振器,台产鸿星高性能晶振,物料编码E3SB32E001500E,型号E3SB系列晶振,频率为32MHz,精度为±10ppm,负载电容12PF,工作温度范围:-30℃~85℃,尺寸为3.2*2.5mm,3225晶振,贴片晶振,台产晶振,晶振厂家,进口晶振,无源晶振,3225石英谐振荡,石英晶振,石英晶体谐振器,适用于海上军舰,卫星发射塔,海上雷达,防控安全系统,潜艇等产品.

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E3SB25E00003FE,E3SB系列晶振,3225石英谐振器

E3SB25E00003FE,E3SB系列晶振,3225石英谐振器

E3SB25E00003FE,E3SB系列晶振,3225石英谐振器,物料编码E3SB25E00003FE,型号E3SB系列晶振,频率为25MHz,精度为±15ppm,负载电容18PF,工作温度范围:-40℃~85℃,尺寸为3.2*2.5mm,3225晶振,3225石英谐振荡,石英晶振,石英晶体谐振器,贴片晶振,台产晶振,晶振厂家,进口晶振,无源晶振,适用于数码相机,数码游戏机,数码玩具,数码电视,数码手机等产品。

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7Q-40.000MCG-T,台产TXC晶技晶振,TCXO振荡器

7Q-40.000MCG-T,台产TXC晶技晶振,TCXO振荡器

7Q-40.000MCG-T,台产TXC晶技晶振,TCXO振荡器,物料编码为7Q-40.000MCG-T,台产TXC晶技晶振,TCXO振荡器,频率为40MHz,型号为7Q,精度为±500ppb,电压为2.5V,输出为Clipped Sine Wave,工作温度范围为-30-85℃,TCXO晶振,四脚晶振,石英晶振,石英晶体振荡器,3225石英晶体,特点:低电压,低电平,低抖动,低耗能,被应用在数控机床,切割机床,工业设备机器。

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7X-12.000MBA-T,TXC晶技高品质晶振,石英晶体振荡器

7X-12.000MBA-T,TXC晶技高品质晶振,石英晶体振荡器

7X-12.000MBA-T,TXC晶技高品质晶振,石英晶体振荡器,物料编码为7X-12.000MBA-T,频率为12MHz,输出CMOS,电压3.3V,精度为±25ppm,工作温度范围-10℃-70℃,尺寸为3.2*2.5mm,四脚晶振,贴片晶振,石英晶振,SPXO晶振,CMOS振荡器,石英晶体振荡器,TXC晶振,晶振厂家,特点:低电压,高精度,轻型,小型,薄型,被广泛应用在指纹打开机,蓝牙音响,5G模块网,卫星基站等。

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7X-50.000MBB-T,TXC高性能晶振,智能家居晶振

7X-50.000MBB-T,TXC高性能晶振,智能家居晶振

7X-50.000MBB-T,TXC高性能晶振,智能家居晶振,物料编码为7X-50.000MBB-T,型号为7X系列晶振,频率为50MHz,输出CMOS晶振,电压为3.3V,精度为±50ppm,工作温度范围:-10℃~70℃,尺寸为  3.2*2.5mm,TXC高性能晶振,智能家居晶振,四脚晶振,石英晶振,贴片晶振,有源晶体振荡器,SMD晶振,CMOS晶振,晶振厂家,XO晶振,特点:低电源电压,低电压,低抖动,低差损。广泛应用在数码相机,数码游戏机,智能相机,dvd,机顶盒。


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7X-30.000MBE-T,7X系列晶振,TXC台产进口晶振

7X-30.000MBE-T,7X系列晶振,TXC台产进口晶振

7X-30.000MBE-T,7X系列晶振,TXC台产进口晶振,物料编码7X-30.000MBE-T,型号为7X系列晶振,频率30MHz,精度为±50ppm,电压为3.3V,输出CMOS,工作温度范围:-40℃~85℃,尺寸为3.2*2.5mm,SMD晶振,CMOS振荡器,SPXO晶振,石英晶振,贴片晶振,3225mm晶振,TXC晶振特点:轻小薄,高温度,高精度等,广泛应用在汽车零件,比如车载显示系统,车载操作系统,车载遥控系统等。

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FC3BACCLP12.0-T3,3225mm,FC3BA,FOX汽车级晶体

FC3BACCLP12.0-T3,3225mm,FC3BA,FOX汽车级晶体

FC3BACCLP12.0-T3,3225mm,FC3BA,FOX汽车级晶体美国进口晶振,FOX晶振,福克斯晶振,型号:FC3BA,(Former FXA3225B)系列晶振,编码为:FC3BACCLP12.0-T3贴片晶振,频率为:12.000MHz,频率稳定性:±30ppm,频率容差:±30ppm,负载电容:18pF,工作温度范围:-40℃至+105℃,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm封装,四脚贴片晶振,石英晶振,无源晶振,石英晶体谐振器,耐高温晶振。具有超小型,轻薄型,高性能,高品质,耐热及耐环境特点。3225晶振,被广泛应用于:移动通讯晶振,无线蓝牙晶振,汽车电子晶振,车载控制器,智能家居晶振,安防设备等应用。

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CS-023,CS-023-114.285M,114.285MHz,3225mm,ConnorWinfield进口晶振

CS-023,CS-023-114.285M,114.285MHz,3225mm,ConnorWinfield进口晶振

CS-023,CS-023-114.285M,114.285MHz,3225mm,ConnorWinfield进口晶振美国进口晶振,ConnorWinfield晶振,康纳温菲尔德晶振,型号:CS-023系列,编码为:CS-023-114.285M,频率为:114.285MHz,频率稳定性:±20ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm封装,四脚贴片晶振,无源晶振,石英晶体谐振器,无铅环保晶振,表面安装在AT切割的第三泛音晶体。它们在许多频率合成器和PLL应用中被用作参考晶体。具有超小型,轻薄型,耐热及耐环境特点。应用于:通讯设备晶振,无线蓝牙晶振,汽车电子晶振,安防设备晶振,平板电脑等应用。

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D32G-026.0M,3225mm,TCXO,26MHz,ConnorWinfield低抖动晶振

D32G-026.0M,3225mm,TCXO,26MHz,ConnorWinfield低抖动晶振

D32G-026.0M,3225mm,TCXO,26MHz,ConnorWinfield低抖动晶振美国进口晶振,ConnorWinfield晶振,康纳温菲尔德晶振,型号:D32G系列,编码为:D32G-026.0M,电压:3.3V,频率为:26.000MHz,工作温度范围:-30℃至+85℃,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm表面安装,四脚贴片晶振,有源晶振,TCXO温补晶振,温补晶体振荡器,石英晶振。设计用于在一个非常小的封装中需要紧密频率稳定性的应用。符合RoHS的表面安装包是设计为高密度安装,是最佳的大规模生产。应用于:通讯设备晶振,导航仪晶振,无线网络晶振,物联网晶振,汽车电子晶振,安防设备等。

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CS-018,CS-018-114.285M,3225mm,ConnorWinfield晶体谐振器

CS-018,CS-018-114.285M,3225mm,ConnorWinfield晶体谐振器

CS-018,CS-018-114.285M,3225mm,ConnorWinfield晶体谐振器美国进口晶振,ConnorWinfield晶振,康纳温菲尔德晶振,型号:CS-018系列,编码为:CS-018-114.285M,频率为:114.285MHz,频率稳定性:±100ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm,四脚贴片晶振,无源晶振,石英晶体谐振器,3225晶体谐振器,无铅环保晶振,表面安装在AT切割的第三泛音晶体。它们在许多频率合成器和PLL应用中被用作参考晶体。具有超小型,轻薄型,耐热及耐环境特点。CS-018应用于:通讯设备晶振,无线蓝牙晶振,车载电子晶振,医疗设备晶振,平板电脑等应用。

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ECX-2236B2是美国ECS品牌针对性布局微型精密时序市场,倾力研发的2.5×2.0mm(2520规格)超紧凑型表面贴装石英晶体谐振器,主打极致空间利用率,高精度时序输出与通用量产适配性,精准匹配现代电子设备微型化,超薄化,高密度集成的核心设计趋势.相较于传统大尺寸贴片晶振,该型号封装体积大幅缩减,PCB占位面积大幅优化,机身剖面厚度轻薄,完美解决微型智能设备,无线模组,精密传感终端的空间受限难题,为设备电池扩容,散热结构优化,功能模块拓展预留充足设计余量.

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