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SiTime晶振,有源晶振,SiT2019晶振,SiT2019B晶振
频率:115.194001~137MHZ 尺寸:2.9*2.8mm MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.
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SiTime晶振,耐高温晶振,SiT2020B晶振
频率:1~110MHZ 尺寸:2.9*2.8mm SiTime已经开发了几代先进的kHz晶体和MHz MEMS谐振器,具有最高的性能、最低的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性
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SiTime晶振,OSC晶振,SiT2021晶振,SiT2021B晶振
频率:119.342001~137MHZ 尺寸:2.9*2.8mm SiTime晶振公司具有深厚的技术专长.这些专业技能的结合,都是在SiTime内部进行的,在计时行业中是独一无二的,并且以指数级的速度推动创新,比普通石英晶振,石英晶体的速度快.SiTime的创新和领导力正在给计时行业带来革命
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SiTime晶振,可编程晶振,SiT2024晶振,SiT2024B晶振
频率:1~110MHZ 尺寸:2.9*2.8mm SiTime晶振提供了业界最好的时间解决方案.热衷于解决高性能电子产品中最困难的时间问题.已经向世界各地的客户运送了超过6.25亿台设备,占MEMS时间的90%
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SiTime晶振,硅晶振,SiT2002晶振,SiT2002B晶振
频率:115~137MHZ 尺寸:2.9*2.8mm 由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.
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SiTime晶振,可编程晶体振荡器,SiT2001B晶振
频率:1~110MHZ 尺寸:2.9*2.8mm 与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.由于石英设备针对特定的参数进行了优化,因此无法提供基于内存的解决方案提供的组合性能和特性
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京瓷晶振,KHZ有源晶振,KC2520B晶振
频率:32.768KHZ 尺寸:2.5×2.0mm VCXO应用:智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
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IDT晶振,有源晶振,XUQ晶振
频率:0.016MHz~1500MHz 尺寸:5.0*3.2mm 差分石英晶体振荡器、差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出
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京瓷晶振,2520无源晶振,CT2520DB晶振
频率:1.5~80.0MHz 尺寸:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0mm 贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性.
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京瓷晶振,无源晶振,KT18晶振
频率:1.5~80.0MHz 尺寸:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0mm 贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性.
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京瓷晶振,插件晶振,HC-49U晶振
频率:3.0~66.0MHz 尺寸:33.0*11.0mm 插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振.
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IDT晶振,石英晶体振荡器,XUN晶振
频率:0.016MHz to 670MHz 尺寸:7.0*5.0mm 体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点
新闻资讯

MEMS技术加持muRata重构小尺寸新标杆
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【更多详情】
MEMS技术加持muRata重构小尺寸新标杆
传统石英谐振器受限于制造工艺,其尺寸难以实现大幅缩小,且在小型化过程中容易出现频率精度下降,稳定性不足等问题,无法满足现代电子设备微型化,高密度集成的核心需求.muRata村田凭借自身强大的技术研发实力,率先将MEMS(微机电系统)技术应用于谐振器研发与生产,通过微加工工艺将机械结构与电子电路集成于微小的芯片上,实现了谐振器尺寸的极致突破,同时兼顾了卓越的性能表现,彻底解决了传统谐振器"小型化与高性能不可兼得"的行业痛点.
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