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Statek晶振,OSC晶振,CXOQ晶振

Statek晶振,OSC晶振,CXOQ晶振

频率:1.2MHZ-75MHZ 尺寸:2.5*2.0mm,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,产品本身可根据使用需要进行选择.

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Statek晶振,有源晶振,CXOX晶振,CXOXHG晶振

Statek晶振,有源晶振,CXOX晶振,CXOXHG晶振

频率:1.0MHZ~160MHZ  尺寸:3.2*2.5mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度

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Connorwinfield晶振,TCXO晶振,TFLD546E晶振,TFLD546晶振

Connorwinfield晶振,TCXO晶振,TFLD546E晶振,TFLD546晶振

频率:155.52MHZ 尺寸:9*14mm 温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

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Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx134晶振

Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx134晶振

频率:32-52MHZ 尺寸:9*14mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

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Connorwinfield晶振,TCXO晶振,TFLD646晶振,TFLD546G晶振,TFLD646E晶振,TFLD546晶

Connorwinfield晶振,TCXO晶振,TFLD646晶振,TFLD546G晶振,TFLD646E晶振,TFLD546晶

频率:155.52-156.25MHZ 尺寸:9*14mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求

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Connorwinfield晶振,VT-TCXO晶振,Tx176晶振,Tx180晶振

Connorwinfield晶振,VT-TCXO晶振,Tx176晶振,Tx180晶振

频率:6.4-50MHZ 尺寸:7.0*5.0mm 电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

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Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx193晶振,Tx214晶振

Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx193晶振,Tx214晶振

频率:6.4-40MHZ 尺寸:5.0*3.2mm 5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

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Connorwinfield晶振,VC-TCXO晶振,TX211晶振

Connorwinfield晶振,VC-TCXO晶振,TX211晶振

频率:10-40MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

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Connorwinfield晶振,温补晶振,Tx236晶振,Tx243晶振,TX301晶振,Tx355晶振

Connorwinfield晶振,温补晶振,Tx236晶振,Tx243晶振,TX301晶振,Tx355晶振

频率:10-40MHZ 尺寸:7.0*5.0mm 该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.

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Connorwinfield晶振,TCXO晶振,Tx238晶振

Connorwinfield晶振,TCXO晶振,Tx238晶振

频率:38.88, 40.0 or 50.0MHZ 尺寸:7.0*5.0mm 该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.

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Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx350晶振

Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx350晶振

频率:10-40MHZ 尺寸:7.0*5.0mm 温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

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GolledgeCrystal,有源石英晶振,RV3029C3晶振,RV3049C3晶振,RV8564C3晶振

GolledgeCrystal,有源石英晶振,RV3029C3晶振,RV3049C3晶振,RV8564C3晶振

频率:32.768kHz, 1024Hz, 32Hz & 1Hz 尺寸:3.7*2.5mm 此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,

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Microchip微芯晶振硬核技术突破抗量子干扰核心价值

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Microchip微芯晶振硬核技术突破抗量子干扰核心价值
作为全球精密时钟器件与嵌入式解决方案的领军品牌,Microchip深度洞悉新时代嵌入式系统的抗扰痛点,率先突破行业技术壁垒,针对量子微观干扰,粒子热噪声,核自旋磁扰动等新型干扰源,对晶振的核心材料,谐振架构,封装工艺,校准体系进行全方位迭代升级,打造出具备原生硬件级抗量子干扰能力的高端晶振系列,从时钟源头彻底隔绝微观量子干扰对嵌入式控制器的影响,填补了行业硬件级量子抗扰防护的技术空白.相较于普通晶振依赖软件补偿,被动抗扰的模式,Microchip抗量子干扰晶振实现了颠覆性升级,以硬件原生抗扰,微观全维度防护,主动时序校准为核心优势,无需额外增加滤波电路,屏蔽模块,补偿程序,即可实现对各类量子级微观干扰的全面抵御,大幅简化嵌入式控制器硬件设计架构,降低研发调试难度,同时从根源上杜绝量子干扰引发的各类系统稳定性问题.



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