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Abracon晶振,有源时钟晶振,ASEMDHLV晶振
频率:2.30~460.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 低抖动针可配置双LVPECL输出超小型纯硅时钟振荡器,低抖动(周期抖动RMS 3ps典型),低集成相位抖动2ps max,优异的冲击和振动免疫.
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Abracon晶振,有源时钟晶振,ASEMDHLP晶振
频率:2.30~460.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 低抖动针可配置双LVPECL输出超小型纯硅时钟振荡器,低抖动(周期抖动RMS 3ps典型),低集成相位抖动2ps max,优异的冲击和振动免疫.
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Abracon晶振,时钟晶振,ASEMDHC晶振
频率:10.00~460.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 低抖动针可配置双LVPECL输出超小型纯硅时钟振荡器,低抖动(周期抖动RMS 3ps典型),低集成相位抖动2ps max,优异的冲击和振动免疫.
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Abracon晶振,纯硅时钟振荡器,ASEMDC晶振
频率:10.00~170.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 有源晶振SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Abracon晶振,进口时钟振荡器,ASEMCLV晶振
频率:10.00~460.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 低抖动针可配置双LVPECL输出超小型纯硅时钟振荡器,低抖动(周期抖动RMS 3ps典型),低集成相位抖动2ps max,优异的冲击和振动免疫.
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Abracon晶振,进口时钟振荡器,ASEMCLP晶振
频率:10.00~150.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 低抖动针可配置双LVPECL输出超小型纯硅时钟振荡器,低抖动(周期抖动RMS 3ps典型),低集成相位抖动2ps max,优异的冲击和振动免疫.
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Abracon晶振,进口贴片振荡器,ASEMCHC晶振
频率:10.00~150.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 低抖动针可配置双LVPECL输出超小型纯硅时钟振荡器,低抖动(周期抖动RMS 3ps典型),低集成相位抖动2ps max,优异的冲击和振动免疫.
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Abracon晶振,贴片振荡器,ASEMCC晶振
频率:10.00~150.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 低抖动针可配置双LVPECL输出超小型纯硅时钟振荡器,低抖动(周期抖动RMS 3ps典型),低集成相位抖动2ps max,优异的冲击和振动免疫.
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Abracon晶振,贴片振荡器,ASEMB晶振
频率:1.00~150.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高.
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Abracon晶振,石英振荡器,ASEM晶振
频率:2.30~170.00MHZ 尺寸:3.2*2.5mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高.
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Abracon晶振,石英振荡器,ASDMP晶振
频率:2.30~170.00MHZ 尺寸:2.5*2.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高.
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Abracon晶振,石英振荡器,ASDMDC晶振
频率:1.00~150.00MHZ 尺寸:2.5*2.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高.
新闻资讯

CRYSTEK推出CVPD-922超低相噪LVPECL压控振荡器
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CRYSTEK推出CVPD-922超低相噪LVPECL压控振荡器
【更多详情】CRYSTEK晶振推出CVPD-922超低相噪LVPECL压控振荡器
针对高速差分时序市场的核心技术痛点与量产刚需,全球高端频率控制领域标杆品牌CRYSTEK晶振(瑞斯克)重磅推出CVPD-922系列超低相位噪声LVPECL电压控制振荡器(VCXO),以行业顶级超低相噪基底,标准LVPECL差分输出,宽频适配,高线性调谐,宽温高稳的硬核性能,成为当下高速精密时序系统升级,国产方案迭代,高端设备性能突破的核心优选器件.
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