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: Vectron压控晶振,VX-708高温振荡器,VX-7080-DAY-FXXX-10M0000000晶振

Vectron为极端环境应用提供高温压控晶体振荡器(VX-708)产品平台。典型工作温度范围为-55℃至+180℃，绝对牵引范围为+/- 50ppm。特点: 连续工作温度范围-55℃至180℃，低抖动和相位噪声 3.3Vdc操作适用于恶劣环境应用的4点晶体安装高冲击和振动存活率输出频率为2MHz至40MHz，小体积晶振尺寸5.0x7.0mm SMD封装符合RoHS标准 EAR99 美国制造，应用: 石油/天然气井下工具高温工业过程控制扩展温度军用/航空航天

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: Vectron小体积晶振,VX-706低噪声晶振,VX-7060-EAE-3050-100M000000晶振

VCXO压控晶振主要由石英晶体谐振器、变容二极管和振荡电路组成，其工作原理是通过控制电压来改变变容二极管的电容，从而“牵引”石英谐振器的频率，以达到频率调制的目的。VCXO压控晶振大多用于锁相技术、频率负反馈调制的目的。

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: Vectron低抖动晶振,VX-705无铅环保晶振,VX-705-ECE-KXAN-122M880000晶振

VX-705是一个压控晶体振荡器，工作在内部晶体的基频。该晶体是一种高Q石英器件，使电路能够在较宽的工作温度范围内实现低相位噪声抖动性能。VX-705封装在工业标准的密封LCC封装中，有卷带和卷轴两种形式。特点: CMOS输出VCXO，80-170MHz，LVPECL输出VCXO压控晶振，100-204.8MHz，3.3V工作电压具有低抖动性能的基本晶体设计输出禁用特性出色的20ppm温度稳定性，工作温度为0/70℃、-20/70℃或-40/85℃ 小型工业标准封装7.0x5.0毫米产品不含铅，符合欧盟RoHS指令，应用: 长期演进 SONET/SDH/DWDM 以太网、SyncE、GE xDSL、PCMIA 数字视频宽带接入基站、微微蜂窝测试和测量

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: 维管CMOS输出VCXO晶振,VV-800系列5032mm晶振,VV-800-DAW-KAAN-39M3216000晶振

Vectron的VV-800压控晶体振荡器(VCXO)是一种带有CMOS输出的石英稳定方波发生器。VV-800使用基波晶体，从而实现低抖动性能，并使用单片ic提高可靠性并降低成本。特点: CMOS输出VCXO 输出频率范围为1.544MHz至77.760MHz,5.0或3.3V工作电压具有低抖动性能的基本晶体设计输出禁用特性出色的20ppm温度稳定性,工作温度为-10/70℃或-40/85℃,小型工业标准封装,5.0x3.2毫米密封,产品不含铅,符合欧盟RoHS指令,应用: SONET/SDH/DWDM 以太网，SynchE xDSL、PCMIA 数字视频宽带接入基站、微微蜂窝

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: Vectron压控晶体振荡器,VV-701以太网用晶振,VV-701-DAT-KNAB-39M3216000晶振

Vectron的VV-701压控晶体振荡器(VCXO)是一种带CMOS输出的石英稳定方波发生器。VV-701使用基波晶体，可实现低抖动性能，并采用单片ic，可提高可靠性并降低成本。特点: CMOS输出VCXO压控晶振，输出频率范围为1.544MHz至77.760MHz 5.0V或3.3V工作电压高阻抗控制电压选项具有低抖动性能的基本晶体设计输出禁用特性出色的20ppm温度稳定性，0/70℃或-40/85℃工作温度小型工业标准封装，7.0x5.0x1.8毫米产品不含铅，符合欧盟RoHS指令，应用于: SONET/SDH/DWDM 以太网，SynchE xDSL、PCMIA 数字视频宽带接入基站、微微蜂窝

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: Vectron无线通信用晶振,VS-800高频VCSO晶振,VS-800-EGE-AANN-2G45760000晶振

VS-800是一款压控SAW振荡器，以内部SAW谐振器的基频工作。SAW谐振器是一种高Q石英器件，使电路能够在较宽的工作温度范围内实现超低相位抖动性能。内部乘法器电路用于1.6GHz以上的输出频率。晶体振荡器采用密封无引脚表面贴装封装，以卷带形式提供。它具有“输出使能”功能，可提供以下条件:输出使能或输出禁用。

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: Vectron超低抖动产品,VS-709双频VCSO晶振,VS-709-ECE-KAAN-M2/NH晶振

VS-709是一个压控SAW振荡器，工作在两个内部SAW滤波器之一的基频。SAW滤波器是高Q石英器件，使电路能够在较宽的工作温度范围内实现低相位抖动性能。分频器电路用于输出频率低于600MHz的情况。可选双通道振荡器采用密封无引脚表面贴装封装，以卷带形式提供。它具有三态频率选择功能，提供三种条件之一:频率1、输出禁用或频率2。特点: 行业标准封装，5.0x7.0x1.8毫米超低抖动的第五代ASIC技术 120 fs-rms (fN = 622.08MHz，12kHz至20MHz) 105 fs-rms (fN = 622.08MHz，50kHz至80MHz) 输出频率范围为150MHz至1000MHz 杂散抑制，典型值90 dBc 2.5V或3.3V电源电压，LVPECL或LVDS晶振输出配置，三态频率选择(F1、OD、F2) 符合EC RoHS6指令用于时钟平滑和频率转换的PLL电路。

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: 维管SAW压控振荡器,VS-702六脚贴片晶振,VS-702-ECE-KXAN-622M080000晶振

VS-702是一款基于SAW的压控晶体振荡器，可实现低相位噪声和极低抖动性能。VS-702采用行业标准的密封LCC封装，提供卷带和卷轴两种形式。特点: 行业标准封装，5.0x7.5x2.0毫米用于超低抖动的ASIC技术，12kHz至20MHz带宽范围内典型值为0.100 ps-rms 50kHz至80MHz带宽范围内典型值为0.120 ps-rms 输出频率范围为150MHz至1GHz，3.3V工作电压，具有快速过渡时间的LV-PECL或LVDS配置温度稳定性优于标准VCSO ( 20ppm) 输出禁用特性 0/70°C或-40/85°C工作温度产品不含铅，符合欧盟RoHS指令，应用: 时钟平滑和频率转换PLL电路的理想选择 SONET、SDH 同步以太网光纤通道局域网/广域网测试和测量

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: 维管LoRa基站用晶振,VT-860超小型2016mm晶振,VT-860-EFE-507A-26M0000000晶振

Vectron的VT-860温度补偿晶体振荡器(TCXO)是一种石英稳定、限幅正弦波输出、模拟温度补偿振荡器，采用3.3V、2.8V、2.5V或1.8V电源供电，小体积晶振采用密封的2.0x1.6毫米陶瓷封装，特点: 13.000—52.000MHz输出频率，-40℃至85℃范围内的温度稳定性为0.5ppm 可选频率调谐基本晶体设计镍上镀金接触垫气密密封的2.0x1.6毫米陶瓷SMD封装，产品符合RoHS指令并且与无铅组件完全兼容，应用: 全球导航卫星系统模块 LoRa基站无线连接点对点无线电背负式收音机测试和测量

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: Vectron温补晶振,VT-841无线通信晶振,VT-841-EFE-5070-24M5760000晶振

Vectron的VT-841温度补偿晶体振荡器(TCXO)是一种石英稳定、限幅正弦波输出、模拟温度补偿晶振振荡器，采用1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V电源供电，封装在一个密封的2.5x2.0毫米4焊盘内陶瓷封装。特征：输出频率高达52MHz 0.5ppm温度稳定性基本晶体设计可选VCXO功能可用镍上镀金接触垫密封陶瓷SMD封装产品符合RoHS指令并且与无铅组件完全兼容应用程序无线通信全球定位系统基站点对点无线电宽带接入测试设备

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: Vectron进口晶振,VT-822温度补偿石英晶体振荡器,VT-822-EAE-2060-24M5760000晶振

Vectron的VT-822温度补偿晶体振荡器(TCXO)是一种石英稳定的CMOS输出模拟温度补偿振荡器，温补晶振采用2.5V或3.3V电源供电，采用密封的3.2x2.5mm陶瓷封装。特点: CMOS输出输出频率高达54MHz 启用禁用功能基本晶体设计密封陶瓷SMD封装产品符合RoHS指令并且与无铅组件完全兼容，应用于: WiMAX、无线网络、无线局域网无线通信基站点对点无线电宽带接入测试设备手机网络。

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: 维管VCTCXO晶振,VT-820系列3225mm晶振,VT-820-EFE-5070-24M5760000晶振

Vectron的VT-820温度补偿晶体振荡器(TCXO)是一种石英稳定、限幅正弦波输出、模拟温度补偿晶振，采用1.8V、2.8V、3.0V或3.3V电源供电，采用密封的3.2x2.5mm毫米陶瓷封装。特点: 0.5ppm温度稳定性削波正弦波输出输出频率高达50MHz 基本晶体设计可选VCXO功能可用密封陶瓷SMD封装产品符合RoHS指令并且与无铅组件完全兼容应用: 全球（卫星）定位系统 WiMAX、无线网络、无线局域网地震勘探无线通信基站点对点无线电宽带接入测试设备手机

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ECX-2236B2微型贴片晶体谐振器: ECX-2236B2微型贴片晶体谐振器

ECX-2236B2微型贴片晶体谐振器
ECX-2236B2是美国ECS品牌针对性布局微型精密时序市场,倾力研发的2.5×2.0mm(2520规格)超紧凑型表面贴装石英晶体谐振器,主打极致空间利用率,高精度时序输出与通用量产适配性,精准匹配现代电子设备微型化,超薄化,高密度集成的核心设计趋势.相较于传统大尺寸贴片晶振,该型号封装体积大幅缩减,PCB占位面积大幅优化,机身剖面厚度轻薄,完美解决微型智能设备,无线模组,精密传感终端的空间受限难题,为设备电池扩容,散热结构优化,功能模块拓展预留充足设计余量.

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