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Abracon晶振,SMD振荡器,ASV晶振
频率：0.31~200.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,SMD振荡器,ASL1晶振
频率：1.00~125.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,SMD振荡器,ASL晶振
频率：32.768KHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASHEK晶振
频率：32.768KHZ 尺寸：3.2*2.5mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASH7KW晶振
频率：32.768KHZ 尺寸：3.2*1.5mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,32.768KHZ晶体振荡器,ASH7K晶振
频率：32.768KHZ 尺寸：3.2*1.5mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-ULJ晶振
频率：1.00MHZ~200.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,SMD晶体振荡器,ASG-P晶振
频率：10.00MHZ~1500.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-D晶振
频率：10.00MHZ~1500.00MHZ 尺寸：2.5*2.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-C晶振
频率：10.00MHZ~250.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,可编程振荡器,ASG2-P晶振
频率：8.00MHZ~1500.00MHZ 尺寸：2.5*2.0mm 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域
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Abracon晶振,可编程振荡器,ASG2-LJ晶振
频率：8.00MHZ~200.00MHZ 尺寸：2.5*2.0mm 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域
新闻资讯
MEMS技术加持muRata重构小尺寸新标杆
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【更多详情】
MEMS技术加持muRata重构小尺寸新标杆
传统石英谐振器受限于制造工艺,其尺寸难以实现大幅缩小,且在小型化过程中容易出现频率精度下降,稳定性不足等问题,无法满足现代电子设备微型化,高密度集成的核心需求.muRata村田凭借自身强大的技术研发实力,率先将MEMS(微机电系统)技术应用于谐振器研发与生产,通过微加工工艺将机械结构与电子电路集成于微小的芯片上,实现了谐振器尺寸的极致突破,同时兼顾了卓越的性能表现,彻底解决了传统谐振器"小型化与高性能不可兼得"的行业痛点.
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