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高利奇晶振,压控晶振,VCXO2E晶振
频率:5.0 ~ 40.0MHz 尺寸:5.0*3.2mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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高利奇晶振,压控晶振,GAO-3201晶振
频率:32.768KHZ 尺寸:2.5*2.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点
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高利奇晶振,GVXO-E33晶振,GVXO-L33晶振
频率:40.0 ~ 250MHz 尺寸:3.2*2.5mm 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”电源电压做到2.5V-3.3V之间,工作温度,以及储存温度非常宽.
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-41晶振
频率:1.544 ~ 33.0MHz 尺寸:20.8*13.08mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-42F晶振
频率:33.0 ~ 160MHz 尺寸:20.8*13.08mm 压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-43晶振
频率:1.544 ~ 33.0MHz 尺寸:20.8*13.08mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-44F晶振
频率:33.0 ~ 125MHz 尺寸:20.8*13.08mm 是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.
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高利奇晶振,GVXO-52晶振,GVXO-54晶振
频率:12 ~ 800MHz 尺寸:7.5*5.0mm 差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-331晶振
频率:1.50 ~ 64.440MHz 尺寸:3.2*2.5mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-513晶振,GVXO-515晶振
频率:2.0-52MHZ 尺寸:5.2*3.4mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-523晶振
频率:1.50 ~ 54.0MHz 尺寸:5.0*3.2mm 5032体积的压控晶振(VCXO),是目前有源晶振中体积超小型的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:
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高利奇晶振,压控晶振,GVXO-533晶振
频率:1.0 ~ 125MHz 尺寸:5.0*3.2mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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ECS伊西斯晶振如何为5G网络带来益处
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ECS伊西斯晶振如何为5G网络带来益处
在5G复杂组网架构下,传统通用时钟晶振普遍存在温漂偏大,相位噪声偏高,时序抖动明显,抗干扰能力弱,长期稳定性不足等短板,极易引发5G网络信号丢包,时延波动,基站同步异常,切换卡顿,定位精度偏移等各类网络故障,严重影响用户体验与产业级应用落地.针对5G全场景的时序痛点与技术壁垒,全球知名频率控制品牌ECS伊西斯深耕通信时钟领域多年,依托成熟的晶体精密制造,低噪声电路设计,宽温稳定性优化技术,打造出专为5G网络量身定制的全系列高精度定时解决方案,精准适配5G宏基站,微基站,皮基站,5G传输网关,边缘计算设备,通信核心板卡等全场景设备,为5G网络稳定,高效,智能运行提供核心时序保障.
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