高利奇晶振,GolledgeCrystal,Golledge晶振

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: 高利奇晶振,压控晶振,VCXO2E晶振

频率：5.0 ~ 40.0MHz 尺寸：5.0*3.2mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

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: 高利奇晶振,压控晶振,GAO-3201晶振

频率：32.768KHZ 尺寸：2.5*2.0mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点

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: 高利奇晶振,GVXO-E33晶振,GVXO-L33晶振

频率：40.0 ~ 250MHz 尺寸：3.2*2.5mm 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”电源电压做到2.5V-3.3V之间,工作温度,以及储存温度非常宽.

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-41晶振

频率：1.544 ~ 33.0MHz 尺寸：20.8*13.08mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-42F晶振

频率：33.0 ~ 160MHz 尺寸：20.8*13.08mm 压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-43晶振

频率：1.544 ~ 33.0MHz 尺寸：20.8*13.08mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-44F晶振

频率：33.0 ~ 125MHz 尺寸：20.8*13.08mm 是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.

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: 高利奇晶振,GVXO-52晶振,GVXO-54晶振

频率：12 ~ 800MHz 尺寸：7.5*5.0mm 差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-331晶振

频率：1.50 ~ 64.440MHz 尺寸：3.2*2.5mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-513晶振,GVXO-515晶振

频率：2.0-52MHZ 尺寸：5.2*3.4mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-523晶振

频率：1.50 ~ 54.0MHz 尺寸：5.0*3.2mm 5032体积的压控晶振（VCXO）,是目前有源晶振中体积超小型的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：

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: 高利奇晶振,压控晶振,GVXO-533晶振

频率：1.0 ~ 125MHz 尺寸：5.0*3.2mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

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SiTime破解航空航天及国防领域时序难题: SiTime破解航空航天及国防领域时序难题

SiTime破解航空航天及国防领域时序难题
作为全球MEMS频控领域的绝对标杆企业,SiTime深耕MEMS频控技术近二十年,始终以技术创新为核心驱动力,投入大量研发资源组建专业研发团队,深耕核心技术攻关,积累了深厚的技术沉淀与丰富的行业经验.凭借自主研发的全硅MEMS核心技术,SiTime成功打破了传统石英频控技术的垄断,成为全球MEMS频控领域的领航者,其产品以高可靠性,小尺寸和卓越的抗环境应力能力著称,广泛应用于航空航天,国防军工,高端通信等多个高端领域,赢得了全球众多行业龙头企业与科研机构的认可与信赖.针对航空航天及国防领域的精确计时需求与痛点,SiTime推出了Endura™加固型MEMS时钟解决方案等一系列专用产品,融合全硅MEMS谐振器,先进时序校准算法,加固型封装工艺与智能功耗管理技术的创新成果,在极端环境适应性,计时精度,可靠性,集成度等核心维度实现全方位突破,有效解决了航空航天及国防领域中与精确计时相关的各类难题,重新定义了航空航天及国防领域精确计时的性能标准.

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