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Abracon晶振,32.768KHZ晶体振荡器,ASH7K晶振
频率：32.768KHZ 尺寸：3.2*1.5mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-ULJ晶振
频率：1.00MHZ~200.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,SMD晶体振荡器,ASG-P晶振
频率：10.00MHZ~1500.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-D晶振
频率：10.00MHZ~1500.00MHZ 尺寸：2.5*2.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,高性能SMD晶体振荡器,ASG-C晶振
频率：10.00MHZ~250.00MHZ 尺寸：7.0*5.0mm ASG系列是一种高性能的晶体振荡器;无论是作为XO还是VCXO都可以使用,频率范围从10MHz到250MHz,LVCMOS输出,从10MHz到1.5 ghz,使用LVDS或LVPECL输出一般提供2.50V或3.30V偏置电压.
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Abracon晶振,可编程振荡器,ASG2-P晶振
频率：8.00MHZ~1500.00MHZ 尺寸：2.5*2.0mm 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域
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Abracon晶振,可编程振荡器,ASG2-LJ晶振
频率：8.00MHZ~200.00MHZ 尺寸：2.5*2.0mm 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域
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Abracon晶振,可编程振荡器,ASG2-D晶振
频率：8.00MHZ~1500.00MHZ 尺寸：2.5*2.0mm 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域
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Abracon晶振,可编程振荡器,ASG2-C晶振
频率：8.00MHZ~200.00MHZ 尺寸：5.0*3.2mm 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域
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Abracon晶振,SMD时钟振荡器,ASFLT晶振
频率：4.00MHZ~50.00MHZ 尺寸：5.0*3.2mm Abracon LLC产品是商用现货产品;适用于商业、工业及汽车应用领域,产品并不是专门为军事、航空、航空、生命依赖的医疗应用或任何需要高可靠性的应用而设计的
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Abracon晶振,SMD时钟振荡器,ASFLMX晶振
频率：0.50MHZ~125.00MHZ 尺寸：5.0*3.2mm Abracon LLC产品是商用现货产品;适用于商业、工业及汽车应用领域,产品并不是专门为军事、航空、航空、生命依赖的医疗应用或任何需要高可靠性的应用而设计的
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Abracon晶振,进口贴片振荡器,ASFLK晶振
频率：0.50MHZ~125.00MHZ 尺寸：5.0*3.2mm 晶体时钟振荡器连接到PC或PC且卡薄设备应用在无线通信领域,紧凑,高度低低电流消耗三态函数适合高密度SMT,严格稳定的选择,采用接缝密封包装.
新闻资讯
ECX-2236B2微型贴片晶体谐振器
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【更多详情】
ECX-2236B2微型贴片晶体谐振器
ECX-2236B2是美国ECS品牌针对性布局微型精密时序市场,倾力研发的2.5×2.0mm(2520规格)超紧凑型表面贴装石英晶体谐振器,主打极致空间利用率,高精度时序输出与通用量产适配性,精准匹配现代电子设备微型化,超薄化,高密度集成的核心设计趋势.相较于传统大尺寸贴片晶振,该型号封装体积大幅缩减,PCB占位面积大幅优化,机身剖面厚度轻薄,完美解决微型智能设备,无线模组,精密传感终端的空间受限难题,为设备电池扩容,散热结构优化,功能模块拓展预留充足设计余量.
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