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SiTime晶振,石英晶体振荡器,SiT2018晶振,SiT2018B晶振

SiTime晶振,石英晶体振荡器,SiT2018晶振,SiT2018B晶振

频率:1~110MHZ 尺寸:2.9*2.8mm SiTime提供了带有中心扩展和向下扩展选项的扩展频谱功能,以及不同的传播值.该特性提供了一个很好的解决方案,可以轻松解决在产品开发的最后阶段经常被发现的EMI问题

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SiTime晶振,硅晶振,SiT2002晶振,SiT2002B晶振

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频率:115~137MHZ 尺寸:2.9*2.8mm 由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.

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SiTime晶振,可编程晶体振荡器,SiT2001B晶振

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频率:1~110MHZ 尺寸:2.9*2.8mm 与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.由于石英设备针对特定的参数进行了优化,因此无法提供基于内存的解决方案提供的组合性能和特性

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瑞萨重磅推出REXFET系列MOSFET

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瑞萨重磅推出REXFET™系列MOSFET
在现代电子系统中,电能转换与电机控制是两大核心场景,从工业自动化产线的伺服电机,新能源汽车的动力单元,到便携式电动工具,智能家居设备,再到光伏逆变器,储能系统,都对功率器件提出了"高电流承载,高效率能量利用,高可靠性运行"的极致要求.传统MOSFET常面临"导通电阻高,开关损耗大,散热困难"的痛点,难以平衡性能与成本,无法满足高功率,低损耗场景的核心需求.全球知名半导体品牌RENESAS(瑞萨电子)凭借三十余年功率器件研发积淀,依托NEC和日立的技术传承,重磅推出REXFET™系列MOSFET,以创新分栅极技术为核心,打破传统功率器件的性能瓶颈,同时实现高效能电能转换与稳定电机控制双重突破,为各类高功率应用场景提供一站式解决方案.

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