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低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V

频率:10MHz至40MHz,尺寸:5.0x3.2mm
低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V爱普生晶振型号TG5032CGN,产品编码:X1G0052310004,产品型号:TG5032CGN 20.000000MHz CAGHDA,是一款小体积晶振尺寸5.0x3.2x1.45mm小尺寸包(10垫),TCXO晶振,石英晶振,温补晶体振荡器,特点:超高稳定性(< 0.1 x 10-6),低相位噪声,频率范围:10MHz到40MHz,输出:CMOS,低抖动晶振,电源电压: 2.375至3.63V,无铅,符合欧盟RoHS的指令。该产品是CMOS的超高稳定温度补偿晶体振荡器和利用晶体单元的基本振荡器进行的裁剪正弦波输出。这实现了频率为10~40MHz的低相位噪声,适用于包括小电池在内的参考时钟。这使得该产品符合各种标准,包括GR-1244-CORE层3、G.8262.1、G.8273.2(A、B类).
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低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V爱普生晶振型号TG5032CGN,产品编码:X1G0052310004,产品型号:TG5032CGN 20.000000MHz CAGHDA,是一款小体积晶振尺寸5.0x3.2x1.45mm小尺寸包(10垫)TCXO晶振,石英晶振,温补晶体振荡器,特点:超高稳定性(< 0.1 x 10-6),低相位噪声,频率范围:10MHz到40MHz,输出:CMOS,低抖动晶振,电源电压: 2.375至3.63V,无铅,符合欧盟RoHS的指令。该产品是CMOS的超高稳定温度补偿晶体振荡器和利用晶体单元的基本振荡器进行的裁剪正弦波输出。这实现了频率为10~40MHz的低相位噪声,适用于包括小电池在内的参考时钟。这使得该产品符合各种标准,包括GR-1244-CORE层3、G.8262.1、G.8273.2(A、B类)。

耐振低频进口谐振器,大型7050mm贴片晶体,CX5晶振

低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V,参数图

项目 符号 TG5032CGN (CMOS) TG5032SGN (Clipped sine wave) 条件
VC-TCXO TCXO VC-TCXO TCXO
输出频率范围 f0 10 MHz ~ 40 MHz
10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 32, 38.4, 40 MHz 标准频率
电源电压 VCC C: 3.3 V± 5% (电源电压范围: 2.375 V ~ 3.63 V)
储存温度范围 T_stg -40 ºC ~ +90 ºC 裸存
工作温度范围 T_use G: -40 ºC ~ +85 ºC
a) 频率初期公差 f_tol ±1.0 × 10-6Max. 在回流焊后, +25 °C
b) 频率温度特征 f0-TC A: ±0.1 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC M: ±0.14 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC B: ±0.28 × 10-6 Max. / G: -40 ºC ~ +85 ºC 频率(fmax+fmin)/2 基准
c) 频率负载变动特征 f0-Load ±0.1 ×10-6 Max. Load ±10 %
d) 频率电源电压特征 f0-VCC ±0.1 ×10-6 Max. VCC ±5 %
e) 频率老化 f_age ±0.5 ×10-6 Max. +25 °C, 第一年
±3.0 ×10-6 Max. +25 °C , 20 
Holdover stability ±0.01 × 10-6 Max.( +25 °C , 24 时间) 工作开始 10 日后基准
(温度固定) ±0.04 × 10-6 Max.( +25 °C , 24 时间) 工作开始 48 时间后基准
Free-run accuracy ±4.6 × 10-6 Max. 这包括项目 a), b), c), d), e).
功耗 ICC 5.0 mA Max. 5.0 mA Max. 10 MHzf026 MHz
6.0 mA Max. 26 MHzf040 MHz
输入电阻 Rin 100 kΩ Min. 100 kΩ Min. VC- GND (DC)
频率控制范围 f_cont ±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6 ±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6 D,J :VC=1.5 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V)
E,K: VC=1.65 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V)
频率变化极 正极 正极
占空比 SYM 45 % ~ 55 % 50 % VCC , L_CMOS £ 15 pF
输出电压 VOH 90 % Vcc Min.
VOL 10 % Vcc Max.
输出电压极 Vpp 0.8 V Min. -峰值
上升/下降时间 tr/ tf 8.0 ns Max. 10 % VCC ~ 90 % VCC 极,负载:15 pF
振荡启动时间 t_str 5.0 ms Max.(Non-Filter: 标准) / 2.0 sec. Max.(Filter: 选择) 在 90 % VCC  时,所需时间为 
输出负载 Load 15 pF 10 kΩ//10 pF
输入电压 VIH 70% VCC Min. OE 终端(启用电压)
VIL 30% VCC Max. OE 终端(禁用电压)
耐振低频进口谐振器,大型7050mm贴片晶体,CX5晶振

低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V,尺寸图

TG5032CGN SGN

低抖动TCXO晶振|X1G0052310004|20MHz|5032mm|CMOS|TG5032CGN|3.3V

TG5032CGN温补晶振特征:

频率范围:10MHz至40MHz
输出波形:CMOS有源晶振
电源电压:3.3V类型。
频率/温度特性:±0.1×10-6最大值(-40°C至+85°C)
频率老化:±3.0×10-6最大/20年
外部尺寸:5.0×3.2×1.45mm(10个垫子)
超高稳定性,宽温度范围
应用:小型蜂窝、Stratum3、SyncE、IEEE1588,网络系统等

石英晶振厂家 型号 频率 尺寸 输出波形 电压
X1G0052310004 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310005 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310009 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310010 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310011 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310012 TG5032CGN 12.800000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310013 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310015 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310016 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310017 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310019 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310020 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310023 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310025 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310026 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310027 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310028 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310029 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310030 TG5032CGN贴片晶振 38.880000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310031 TG5032CGN 38.880000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310032 TG5032CGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 2.700 to 3.000 V
X1G0052310033 TG5032CGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310034 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310035 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310036 TG5032CGN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310037 TG5032CGN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310039 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310041 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310042 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310043 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310044 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310046 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310047 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310048 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 2.375 to 2.625 V
X1G0052310049 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
X1G0052310050 TG5032CGN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V
TG5032CGN,TG5032SGN

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