高利奇晶振,有源晶振,MCSO2晶振,MCSO2F晶振,MCSO2E晶振
高利奇晶振,有源晶振,MCSO2晶振,MCSO2F晶振,MCSO2E晶振,5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

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项目 |
符号 |
MCSO2规格说明 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 225MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.8V-5.0 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
J: -40℃ to +125℃ |
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|
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
|
T: ±150 × 10-6 |
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|
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
|
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
|
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
|
VIL |
20 % VCC Max. |
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|
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
|
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
|
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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项目 |
符号 |
MCSO2F规格说明 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 225MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.8V-3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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项目 |
符号 |
MCSO2E规格说明 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 100MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
2.0V-5.0 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
|
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |

关于冲洗清洁音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相对而言频率与超音波清洁器相近,所以会由于共振而容易受到破坏,因此请不要用超音波清洁器来冲洗晶振。 关于机械性冲击
(1) 从设计角度而言,即使石英晶振从高度75cm处落到硬质木板上三次,按照设计不会发生什么问题,但因落下时的不同条件而异,有可能导致石英芯片的破损。在使之落下或对它施加冲击之时,在使用之前,建议确认一下振荡检查等的条件。
(2) SMD晶振与电阻以及电容器的芯片产品不同,由于在内部对石英晶振晶片进行了密封保护,因此关于在自动安装时由于冲击而导致的影响,请在使用之前,恳请贵公司另外进行确认工作。
(3) 请尽量避免将本公司的音叉型晶振与机械性振动源(包括超声波振动源)安装到同一块基板上,不得已要安装到同一块基板上时,请确保晶振能正常工作。高利奇晶振,有源晶振,MCSO2晶振,MCSO2F晶振,MCSO2E晶振
高利奇晶振环保理念
高利奇石英晶振公司深入贯彻落实科学发展观,牢固树立安全发展理念,强化责任,狠抓落实,加强防范,坚决遏制重特大事故发生.
要毫不松懈地抓好32.768K晶振、压电石英晶体、贴片晶振,有源晶体、安全环保工作,坚持把“环保优先、安全第一、质量至上、以人为本”的理念落实到生产建设全过程.
带动各项安全环保工作规范化、程序化、科学化管理,加快实现安全环保形势持续好转、根本好转的工作思路.
高利奇石英晶振公司进一步解放思想,学习先进,总结实践,针对新形势、新情况,抓好理念创新,促进安全环保工作更加科学、更加有效.

联系人:李玉龙
电话:86-0755-27839151
手机:13828756848
QQ:987260611
地址:深圳市宝安区中心区商都赛格电子大厦1C48
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