高利奇晶振,石英晶体振荡器,GOXO-149晶振
高利奇晶振,石英晶体振荡器,GOXO-149晶振,体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
10.0 ~ 80.0MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.8 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
|
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |


如果由频率计数器测量的频率比目标频率高,要增加石英晶振的电容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低频率到目标频率,反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善,这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后,谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率,我们可以通过以下三种方法改进:
方法1:降低产品线路外部电容(Cd和CG)的值,并通过晶体具有较低负载电容(CL)。
方法2:采用小电阻(RR)的晶体。
方法3:使用镉和CG的不等价的设计。
我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本,保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体,以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格,请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率,反之亦然高得多系统不能正常工作,由于输出频率会偏差很大。高利奇晶振,石英晶体振荡器,GOXO-149晶振
高利奇贴片晶振环保理念
高利奇石英晶振公司通过BSI质量保证,获得了ISO 9001:2015的认证.BSI是世界领先的认证机构之一.自我们于1996年在ISO 9002 - 1994的原始认证以来,每一项评估都显示出一份清洁的健康法案,没有不一致的情况.
作为世界领先的石英晶振,贴片晶振, 石英晶体谐振器,石英晶体供应商,高利奇晶振公司敏锐地意识到我们的责任,确保我们的产品不受有害物质和高度关注的物质的影响,而且所有的部件材料都是由无冲突地区负责的.
高利奇晶振公司认真对待环境,管理环境管理系统,并将其重新编码到ISO14001.我们的环境政策,作为我们不断改进的动力的一部分,我们也鼓励员工在生活的各个方面都意识到他们对环境的影响.
联系人:李玉龙
电话:86-0755-27839151
手机:13828756848
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