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CTS晶振,有源晶振,VF561E晶振

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.


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            CTS晶振,有源晶振,VF561E晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

       超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频差分晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而KDS晶振晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。

型号

参数

输出频率范围

19-300MHZ

标准频率

16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz

电源电压范围

+2.5v~+5.0V

电源电压(Vcc

+2.5V/+3.3V/+5.0V

消耗电流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待机时电流

-

输出电压

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

输出负载

10kΩ//10pF

频率稳定度

常温偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

温度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

电源电压特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

负载变化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

长期变化

±1.0×10-6 max./year

频率控制

控制灵敏度

-

频率控制极性

-

启动时间

2.0ms max.

VF561 9-14 OSC

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:

镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)

Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。

Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。

例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。

线路连接的有源晶振电阻(R)与晶体串联

(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。

(3)振荡期间测量R的值。

(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力

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CTS晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标,定期进行内审和管理评审。四脚有源贴片晶振或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效。我们将定期对雇员进行教育和培训,确保他们能够安全高效的工作,树立他们的环保责任感。 与雇员、客户、公众、政府及关注公司环境绩效和持续改进计划的相关方进行充分开放的信息交流。

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