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IDT晶振,VCXO晶振,8N4SV75晶振

频率:15.476MHz to 866.67MHz ,975MHz to 1,300MHz  尺寸:7.0*5.0mm  小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点
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1XQJXIDT-1

   IDT晶振,VCXO晶振,8N4SV75晶振,压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内2GGCSIDT-2

型号

8N4SV75(LVDS)

输出频率范围

15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz

电源电压范围

2.5 to 3.3V

电源电压(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗电流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz/+2.5mA max.f60MHz

待机时电流

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输出电压

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

输出负载

10kΩ//10pF

频率稳定度

常温偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

温度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

电源电压特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

负载变化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

长期变化

±1.0×10-6 max./year

频率控制

控制灵敏度

±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC+2.6V
±3.0×10-6
?±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V

频率控制极性

正极性

3CCIDT-3

8N4SV75 7050 VCXO LVDS4ZYSXIDT-4

使用环境(温度和湿度)

请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

晶振/石英晶体谐振器

激励功率

在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率

负极电阻

除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容5HBFZ

IDT-5

IDT 晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.

集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.

IDT 晶振集团将在各领域内的晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶振商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.

IDT晶振集团尽可能的采用无害的石英晶振,贴片晶振,压电石英晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.IDT晶振VCXO晶振,8N4SV75晶振6LXFSIDT-6

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插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作.

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