IDT晶振,VCXO晶振,8N4SV75晶振
IDT晶振,VCXO晶振,8N4SV75晶振,压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内
型号 |
8N4SV75(LVDS) |
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输出频率范围 |
15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz |
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电源电压范围 |
2.5 to 3.3V |
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电源电压(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
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待机时电流 |
-请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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长期变化 |
±1.0×10-6 max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
频率控制极性 |
正极性 |


使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 。
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。

IDT 晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.
集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.
IDT 晶振集团将在各领域内的晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶振商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.
IDT晶振集团尽可能的采用无害的石英晶振,贴片晶振,压电石英晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.IDT晶振VCXO晶振,8N4SV75晶振
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