IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振
IDT晶振,LVDS晶振,8N4DV85晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内
型号 |
8N4DV85(VCXO) |
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输出频率范围 |
15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz |
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电源电压范围 |
2.5 to 3.3V |
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电源电压(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
|
待机时电流 |
-请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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长期变化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
频率控制极性 |
正极性 |


PCB设计指导
(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于石英晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。
(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
存储事项
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
正常温度和湿度:
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。IDT晶振,LVDS输出晶振,8N4DV85晶振
IDT 晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.
集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.
IDT 晶振集团将在各领域内的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.
IDT晶振集团尽可能的采用无害的石英晶振,贴片晶振,压电石英晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.
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