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DSC1102AI2-200.0000T,Microchip差分晶振,200MHZ,7050mm,LVPECL

尺寸7.0*5.0mm,频率200MHZ
DSC1102AI2-200.0000T,Microchip差分晶振,200MHZ,7050mm,LVPECL,欧美有源晶振,200MHZ晶振,LVPECL差分晶体振荡器,贴片有源晶振,7050mm有源振荡器,六脚有源晶振,尺寸7.0*5.0mm,频率200MHZ,电压2.25V~3.6V,输出逻辑LVPECL,频率稳定性±25ppm,高精度晶振,高冲击晶振,低功耗晶振,小体积晶振,低成本晶振,6G基站晶振,航空电子晶振,数字视频晶振,光纤通道晶振,以太网晶振,智能家居晶振,GNSS授时模块晶振,光通讯晶振.
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DSC1102AI2-200.0000T,Microchip差分晶振,200MHZ,7050mm,LVPECL,欧美有源晶振,200MHZ晶振,LVPECL差分晶体振荡器,贴片有源晶振,7050mm有源振荡器,六脚有源晶振,尺寸7.0*5.0mm,频率200MHZ,电压2.25V~3.6V,输出逻辑LVPECL,频率稳定性±25ppm,高精度晶振,高冲击晶振,低功耗晶振,小体积晶振,低成本晶振,6G基站晶振,航空电子晶振,数字视频晶振,光纤通道晶振,以太网晶振,智能家居晶振,GNSS授时模块晶振,光通讯晶振.

DSC1102AI2-200.0000T,Microchip差分晶振,200MHZ,7050mm,LVPECL特点:

低RMS相位抖动:<1ps(典型值),高稳定性:±10ppm、±20ppm、±25ppm,±50ppm

温度范围广泛:外部工业:-40°C至+105°C,工业:-40°C至+85°C,外部商业:-20°C至+70°C

高电源噪声抑制:-50 dBc,宽频率范围:2.3 MHz至460 MHz

差分晶振小型行业标准足迹:7.0毫米x 5.0毫米

卓越的冲击和振动抗扰性,符合MIL-STD-883

高可靠性,MTF比石英振荡器好20倍

低电流消耗,供电范围为2.25V至3.63V

待机和输出启用功能,无铅且符合RoHS

提供LVDS和HCSL版本

耐振低频进口谐振器,大型7050mm贴片晶体,CX5晶振

DSC1102AI2-200.0000T,Microchip差分晶振,200MHZ,7050mm,LVPECL       参数表

Parameters Sym. Min. Typ. Max. Units Conditions
Supply Voltage (Note 1) V DD 2.25     3.63 V     
Supply Current IDD 0.095 mA  DSC1102, EN pin low,
Output is disabled
20 22  DSC1122, EN pin low,
Output is disabled
Frequency Stability Δf         ±10 ppm  Includes frequency variation
due to initial tolerance,
temp., and power supply
voltage.
        ±20
        ±25
        ±50
Aging - First Year ΔfY1         ±5 ppm  One year at +25°C
Aging - After First Year ΔfY2+ <±1 ppm/yr  Year two and beyond at
+25°C
Start-up Time (Note 2) tSU         5 ms  T = +25°C
Input Logic Levels VIH 0.75 x V DD         V  Input logic high
VIL         0.25 x V DD  Input logic low
Output Disable Time (Note 3) tDA         5 ns     
Output Enable Time tEN         5 ms  DSC1102
        20 ns  DSC1122
Enable Pull-Up Resistor
(Note 4)
RPU 40  Pull-up resistor exists
LVPECL Outputs
Supply Current IDD     56.5 58 mA  Output Enabled, RL = 50Ω
Output Logic Levels V OH V DD – 1.08         V  Output logic high, RL = 50Ω
VOL         V DD – 1.55  Output logic low
Peak-to-Peak Output Swing         800     mV  Single-Ended
Parameters Sym. Min. Typ. Max. Units Conditions
Output Transition Time
(Note 3)
tr 250 ps Rise time, 20% to 80%
t f Fall time, RL = 50Ω,
CL = 0 pF
Frequency f0 2.3     460 MHz     
Output Duty Cycle SYM 48     52 % Differential
Period Jitter J PER     2.5     ps RMS     
Integrated Phase Noise J PH 0.25 ps RMS 200 kHz to 20 MHz @
156.25 MHz
0.38 100 kHz to 20 MHz @
156.25 MHz
1.7 2 12 kHz to 20 MHz @
156.25 MHz
耐振低频进口谐振器,大型7050mm贴片晶体,CX5晶振

DSC1102AI2-200.0000T,Microchip差分晶振,200MHZ,7050mm,LVPECL       尺寸图

DSC1102 DSC1122 7050

DSC1102 DSC1122 1

DSC1102 DSC1122 2

原厂代码 品牌 型号 类型 频率 电压
DSC1102BI2-125.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-153.6000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 153.6MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI1-100.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-150.0000T Microchip Technology DSC1102 MEMS (Silicon) 150MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-040.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 40MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-025.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI1-156.2500T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI1-156.2500 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI1-125.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BE2-200.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 200MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AI1-100.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI1-100.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6V
DSC1102AI2-156.2540T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.254MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AI2-156.2540 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.254MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-125.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-153.6000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 153.6MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-062.5000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 62.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-150.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 150MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-200.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 200MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI5-108.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 108MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AE5-412.5000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 412.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AE1-156.2500 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AE1-156.2500T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-160.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 160MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-160.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 160MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-240.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 240MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI2-240.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 240MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI5-156.2500 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102BI5-156.2500T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-062.5000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 62.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CL1-100.0000 Microchip晶振 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CL1-100.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DE2-025.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DE2-025.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI2-125.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI2-125.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI5-100.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI5-100.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI5-108.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 108MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI5-108.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 108MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI5-162.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 162MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI5-162.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 162MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AE1-125.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AI2-200.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 200MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-100.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AE1-125.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AI2-200.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 200MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CE1-212.5000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 212.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102CI5-100.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI1-050.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 50MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI1-125.0000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI1-050.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 50MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102DI1-125.0000 Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1102AE5-412.5000T Microchip振荡器 DSC1102 MEMS (Silicon) 412.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
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M675-01-BB,Renesas晶振,6G基站晶振,M675差分振荡器,尺寸7.0*5.0mm,频率156.25MHZ,输出逻辑LVPECL,瑞萨差分晶振,差分输出信号LV-PECL,LVPECL差分振荡器,LV-PECL输出晶振,差分贴片晶振,OSC差分晶振,低电压差分振荡器,低功耗差分晶振,低抖动差分晶振,低耗能差分晶振,低相位差分振荡器,低相噪差分晶振,高频差分晶振,仪器设备差分晶振,6G光模块差分晶振,无线网络差分振荡器,网络应用差分晶振,6G路由器专用差分晶振,小型设备专用差分晶振,非常适合用于6G基站,光通信、光收发器,可视化智能家居,娱乐设备,数字视频,仪器仪表以及光模块等领域

M675是一种VCSO(电压控制SAW振荡器)低抖动频率源时钟生成。集成SAW(声表面波)延迟线实现高Q VCO(电压受控振荡器)功能导致低输出相位噪声和非常低的抖动。M675-01有源晶振有多种型号可供选择频率从125到175MHz。M675-02提供500至700MHz。最低保证±100ppm的拉力范围符合GbE要求。(它还完全满足±50 ppm的最小拉力范围通常需要的规范。)行业标准Kvco(VCO增益)提供完全的替换兼容性。M675非常适合锁相环实现、时钟和数据恢复电路,以及电信和光纤中的其他定时应用网络系统(例如SONET/SDH)。M675-01-BB,Renesas晶振,6G基站晶振,M675差分振荡器.


TXC晶振,3225晶振,7X晶振
TXC晶振,3225晶振,7X晶振

尺寸:3.2*2.5mm    频率:1MHZ~125MHZ 

MD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

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