FCD-Tech晶振,AXIS50-11-S50-75.000MHZ,有源晶体振荡器,6G无线晶振

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FCD-Tech晶振,AXIS50-11-S50-75.000MHZ,有源晶体振荡器,6G无线晶振

尺寸20.5x20.5x12mm,频率75MHZ

FCD-Tech晶振,AXIS50-11-S50-75.000MHZ,有源晶体振荡器,6G无线晶振，尺寸20.5x20.5x12mm,频率75MHZ，有源晶体振荡器，OSC振荡器，石英晶体振荡器，VCXO压控晶振，进口有源晶振，高性能晶振，低抖动晶振，低电压晶振，低相位晶振，无线设备晶振，智能家居晶振，网络设备晶振，通讯模块晶振，室内路由器晶振，室外基站专用晶振。

有源晶振产品主要应用范围：无线设备，智能家居，网络设备，通讯模块，室内路由器，室外基站，蓝牙模块等领域。FCD-Tech晶振,AXIS50-11-S50-75.000MHZ,有源晶体振荡器,6G无线晶振.

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FCD-Tech晶振,AXIS50-11-S50-75.000MHZ,有源晶体振荡器,6G无线晶振 参数表

Parameter

min.

typ.

max.

Unit

Condiion

Frequency range

400

MHz

Standard frequencies

60/93.333/182/ 186.667/
213.3/311.040/400.000

MHz

Frequency stability

ppm

Iniial tolerance

ppm

vs. operaing temperature range

± 10

ppm

Operaing temperature range

--20

+50

°C

Note 4

vs. supply voltage variaion

± 0.1

ppm

vs. load change

± 0.1

ppm

long term (aging)

± 2

ppm/year

@ 40°C

Long term aging over 10 years

± 10

ppm

Frequency adjustment range

Electronic Frequency Control (EFC)

± 15

ppm

Note 3

EFC voltage VC

0.15

3.15

EFC slope (Df / DVC)

posiive

EFC input impedance

100

RF output

Signal waveform

Sine Wave
LVPECL Complementary

Opion 1 =“S”
Opion 1 =“L”

Output level (Opion 1 =“S”)

dBm

RL = 50 W (Note 5)

Anharmonics

--40

Opion 1 =“S”

Output Levels (Opion 1 =“L”)
HIGH (VOH)
LOW (VOL)

2.215
1.470

2.345
1.595

2.420
1.745

V
V

RL = 50 W to VS - 2 V
Note 2

Supply voltage VS

3.15
4.75

3.3
5.0

3.45
5.25

V
V

Opion 2 =“33”
Opion 2 =“50”

Current consump汁on (steady state)

Note 6

Operable temperature range

--30

+60

°C

Storage temperature range

--40

+85

°C

Enclosure (see drawing)

20.5x20.5x12 max.

IEC 60679-3 CO 15

Weight

gram

Packing

Pale计e

IEC 60286-3

ESD Sensi汁vity

1500

HBM, IEC 61000-4-2

FCD-Tech晶振,AXIS50-11-S50-75.000MHZ,有源晶体振荡器,6G无线晶振 尺寸图

产品特性：

具有LVPECL或正弦波输出的UHF VCXO振荡器

通孔封装，尺寸为20.5 x 20.5 12毫米

低抖动和低相位噪声VCXO振荡器(无PLL)

频率范围:60至400 MHz，提供标准频率

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FCD-Tech晶振 AXIS50-11-S50-75.000MHZ 有源晶体振荡器 6G无线晶振

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