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压控振荡器指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO)，频率是输入信号电压的函数的振荡器VCO，振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制，就可构成一个压控振荡。

一、基本原理信号流程：

Q3振荡至Q2跟随至Q1谐振选频放大输出；调频W1（压控调谐，电调谐），调幅W2

1．压控振荡器（VCO）：将1S的1或2拨上，2S的1拨下、2拨上（不接CRY1石英晶体），则变容二极管1D、2D并联在电感2L两端。当调节电位器W1时，1D、2D两端的反向偏压随之改变，从而改变了1D和2D的结电容Cj，也就改变了振荡电路的等效电容，使振荡频率发生变化。其交流等效电路如图3-2所示。

2．晶体压控振荡器

开关1S的1接通或2接通，2S的1接通，就构成了晶体压控振荡器。

3．石英晶体振荡器：将开关2S的2拨下（断开）、1拨上，1S全部断开（拨下），由3Q、13C、20C、晶体CRY1与10C构成晶体振荡器（皮尔斯振荡电路），在振荡频率上晶体等效为电感。

二、实验目的

1．比较LC振荡器和晶体振荡器的频率稳定度。

2．掌握晶体振荡器与压控振荡器的基本工作原理。

三、实验步骤

1．两种压控振荡器的频率变化范围

1)将电路改接成晶体压控振荡器，重复上述实验，并将结果记于下表3-2中。

2) 将电路连接成压控振荡器，示波器接于J1，直流电压表（万用表）接于TP3。

3)在晶体压控振荡器电路的基础上，将2L并接于晶体两端，但需将CC1断开或置于容量最小位置。然后重做上述实验，将结果记于下表3-2中。（注：W1高阻值，TP3对地电压最大，即W1抽头在最上位置）。

4)将W1从低阻值、中阻值到高阻值位置，分别将变容二极管的反向偏置电压（万用表测）、输出频率和输出电压记于下表3-2中。

表3-2（S1状态为：1通（用27P）电容）

2．将电路接成LC振荡器，在室混温下记下振荡频率、振荡幅度于表3-1（示波器接于J1处）。

S1关，2S交替接通2（LC振荡器）和1（晶体振荡器），或S2的1、2都通，并将数据记于下表中。

四、实验内容

1．改变变容二极管的偏置电压，观察振荡器输出频率的变化。

2．熟悉振荡器模块各元件及其作用。

3．分析与比较LC振荡器与晶体振荡器的频率稳定度。