冠杰订购热线:

0755-27839151
当前位置首页 » 行业资讯 » CTS开发新品低损耗石英晶体416F480XXATR,晶体的清洁度有助于改善老化性能?

CTS开发新品低损耗石英晶体416F480XXATR,晶体的清洁度有助于改善老化性能?

返回列表 来源:冠杰电子 浏览:- 发布日期:2022-06-27 11:01:12【
CTS开发新品低损耗石英晶体416F480XXATR,晶体的清洁度有助于改善老化性能?晶体的老化是频率随时间的变化。性能受两个主要因素:污染和压力。老化值范围小于±1ppm,第一年可高达±5ppm的第一年,并取决于频率,设计和包装风格。
沾污附着在晶圆表面会导致负频移由于质量加载。制造工艺的清洁度和晶体的清洁度可改善老化性能。封装的密封性将有助于防止在兆赫晶体寿命期间的污染。包装类型和密封方法也可以改进老化性能。
416F50013AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50013CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XAAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XADR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XAKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XALR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XASR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XATR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XCDR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XCKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XCLR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XCSR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F5001XCTR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50022CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz

应力效应对石英晶片造成正频移在松弛过程中压力与时间。这种应力是安装结构扭转、推动或拉动的结果在晶圆上。这种情况可能发生在加工过程中晶体的各种成分中对石英毛坯,固化的环氧树脂安装胶,晶体安装结构和设备中使用的金属电极材料的类型。也可以加热和冷却因膨胀系数不同而产生应力。系统中的压力通常会改变随着时间的推移,系统放松,这可能会导致频率的变化。为了帮助加速应力的松弛,热循环有时被用来“锻炼”坐骑调整并放松压力。CTS开发新品低损耗石英晶体416F480XXATR,晶体的清洁度有助于改善老化性能?

416F44023AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44023CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44025CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44033CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F44035CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X2CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
加速老化通过加速转变来预测晶体的老化性能通过加热。将晶体放置在高温烘箱中会加速老化效应,其中模拟一年的衰老过程只需几周的时间。晶体的老化曲线为对数型的,所以老化最严重的是第一年。通常情况下,第一年老化量为±1ppm, 10年后可推算为±3ppm。

416F440X3CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440X3CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXAAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXADR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXAKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXALR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXASR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXATR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXCDR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXCKR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXCLR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXCSR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F440XXCTR CTS晶振 416 MHz Crystal 44MHz
416F48011AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48011CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48012CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
测量精度当指定石英晶体振荡器的公差时,测量的精度可能是可制造性的问题。通过“零相位”或被动测量技术,精确到百万分之几是可能的。对于系列共振晶体,由于测量重复性,±5ppm的公差不被认为是一个问题。麻烦的当指定并联共振或负载测量时开始。最终的准确性测量依赖于负载电容的精度。负荷的准确性并联谐振测量中使用的电容器由下面的修剪灵敏度公式表示。当负载电容变小时,Delta F/pF会变大。此外,如果运动电容变大,F/pF也会变大。

416F48013AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48013CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XAAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XAKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XCDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XCKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XCLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XCSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F4801XCTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48022CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48023CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
如果负载电容的精度为0.5pF,则测量精度为24ppm。如果另一方面,负载为20pF,则修剪灵敏度为16ppm/pF负载精度相同,测量精度为8ppm。这些只是例子说明了指定低负载电容的影响。

416F48025ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48025CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48033CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F48035CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
驱动电平是晶体中损耗的均方根功率,通常以毫瓦表示[mW]或微瓦[μ W]。最大驱动电平是晶体可以安全地消散的最大功率并在规定的电气参数内保持功能。过高的驱动器电平将产生频率的意外变化[加速老化],导致等效串联电阻增加。这些变化可以是永久性的,如果损坏晶体安装结构发生和如果谐振器坏了,那是灾难性的。

416F480X2ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X2CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480X3CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXAAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXADR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXAKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXALR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXASR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXATR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXCDR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXCKR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXCLR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXCSR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F480XXCTR CTS晶振 416 MHz Crystal 48MHz
416F50011AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50011CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
416F50012CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 50MHz
晶体的测量也需要指定驱动电平。为了更好的精度,降低驱动器水平者优先。驱动电平通常在10uW到2mW之间。低频率的设备更大的石英晶圆可以处理更高的驱动器水平而不损坏。更小、更高频率的设备可能会被5mW以上的高驱动电平损坏。今天的应用程序很少驱动晶体高于2mW,典型能级最高100uW。

如果客户没有定义,CTS将指定标准的最大驱动器电平为100uW。自驱动电平表示振荡电路工作时晶体单元的功耗,为重要的是保持晶体在驱动器级规格。

CTS首页