高温度晶振,陶瓷面有源晶振,MCSO6E晶振

1XQJX

GL-1

高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等 2GGCS GL-2

项目	符号	MCSO6E规格说明	条件
输出频率范围	f₀	10.0kHz ~ 60.0MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	2.5V~5.0V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

项目	符号	MCSO6规格说明	条件
输出频率范围	f0	10.0kHz ~ 155MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5V~5.0V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

项目	符号	MCSO6F规格说明	条件
输出频率范围	f0	10.0kHz ~ 60.0MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5V~3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

3CC

mcso6e 3522 OSC

4ZYSX GL-4

石英晶振频率输出是目标频率的三倍

这个问题的可能性相对较小。请确定的三次泛音调模式的频率反馈是否大于基频模式，由于放大电路的反馈大。当放大电路内置于芯片组此问题可能会发生。为了解决这个问题，请采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外，放大电路，第三色调模式设计不当也可能导致电路由第五音模式振荡或不振荡。

系统故障是由于超大输出波形的幅度。
6-1。请参照资料2.也可以提高终端石英晶振电容解决方案，然后检查波形幅度是否得到改善。

7-1。请确定使用频谱分析仪机中断信号的频率。我们可以发现存在的问题是根据频率什么。
7-2。如果是从电源的交流信号，请检查电源和信号的两个理由的状态是否是浮动的。请改为浮动，如果它不是。
7-3。如果信号具有高频率，请使用以下方法：使用晶振外壳为接地。采用水晶较小C0。
增加电路，镉和CG的外部电容，并采用晶体具有较高的负载电容CL。
7-4。请检查周围电路和PCB布局，如果上面的方法都没有能够解决您的问题。如果两者都正常，那么请你联系IC制造商探讨其芯片组设计的不明信号的反应。改变周围电路的设计只能缓解问题，而不是完全解决它。通常。这将是最好找出来的芯片组设计问题并解决它。高利奇晶振,有源晶振,MCSO6E晶振,MCSO6晶振,MCSO6F晶振