高利奇晶振,温补晶振,OCXOWST晶振,OCXOVST晶振,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 54.0MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
|
H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
J: -40℃ to +125℃ |
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|
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
|
T: ±150 × 10-6 |
|||
|
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
|
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
|
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
|
输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
|
VIL |
20 % VCCMax. |
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|
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
|
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
|
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
10.0kHz ~ 54.0MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
5V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：
方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过晶体具有较低负载电容（CL）。
方法2：采用小电阻（RR）的晶体。
方法3：使用镉和CG的不等价的设计。
我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。
高利奇温补晶振环保理念
高利奇石英晶振公司通过BSI质量保证,获得了ISO 9001:2015的认证.BSI是世界领先的认证机构之一.自我们于1996年在ISO 9002 - 1994的原始认证以来,每一项评估都显示出一份清洁的健康法案,没有不一致的情况.
作为世界领先的石英晶振,贴片晶振, 石英晶体谐振器,石英晶体供应商,高利奇晶振公司敏锐地意识到我们的责任,确保我们的产品不受有害物质和高度关注的物质的影响,而且所有的部件材料都是由无冲突地区负责的.
高利奇石英晶振公司认真对待环境,管理环境管理系统,并将其重新编码到ISO14001.我们的环境政策,作为我们不断改进的动力的一部分,我们也鼓励员工在生活的各个方面都意识到他们对环境的影响.
在我们的环境范围允许的情况下,我们致力于防止污染.最低限度我们将确保遵守所有相关的环境法规和规章和内部环境程序.在此之上,我们将不断努力改善我们的环境性能.
Greenray晶振,恒温晶振,YH1300晶振
Greenray晶振,恒温晶体振荡器,YH1320/1321晶振
