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KDS晶振,贴片晶振,DSX211SH晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSX211SH晶振KDS晶振,贴片晶振,DSX211SH晶振

产品简介

尺寸:2.0x1.6mm 频率:24M~50MHZ, KDS贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

产品详情

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KDS-1

KDS晶振,贴片晶振,DSX211SH晶振,2016mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的KDS石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.

KDS石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

日本株式会社大真空KDS晶振集团设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959113,正式注册成立是在196358,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,石英晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.

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KDS-2

KDS晶振规格

单位

DSX211SH晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

24MHZ~50MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息, http://www.guanjiedz.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

KDS晶振规格

单位

工业级DSX211SH晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

24MHZ~50MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息, http://www.guanjiedz.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

KDS晶振规格

单位

汽车级DSX211SH晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

24MHZ~50MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6(标准),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息, http://www.guanjiedz.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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KDS-3

DSX211SH 221 321_jp

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KDS石英晶体产品线路焊接安装时注意事项

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

1)柱面式产品和DIP产品

晶振产品类型

晶振焊接条件

插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下
比如:椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件

手工焊接+300°C或低于3秒钟
请勿加热封装材料超过+150°C

SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°

+260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件图

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.

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尽可能使温度变化曲线保持平滑:

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KDS-4

KDS晶振集团认识到进行环境管理和资源保持的责任和必要性,同时也认识到针对全球环境问题,为保持国际环境而进行各行业建设性的合作是极其重要的.

过去KDS大真空晶振集团已经针对重大污染控制项目建立了一整套记录程序并且将继续识别解决其自身环境污染及保持问题,加强责任感以便进行环境绩效的持续改进.

KDS集团将:不论何时何地尽可能的进行源头污染预防.为环境目标指标的建立与评审提供框架.通过充分利用或回收等方法实现对自然资源的保持.

KDS晶振集团将确保其产品及相关设施满足甚至超出国家的、州立的以及地方环保机构的相关法规规定及其他要求,同时KDS晶振尽可能的参与并协助政府机关和其他官方组织从事的环保活动. 在地方对各项设施的管理责任中,确保满足方针的目标指标,同时在各种经营与生产活动中完全遵守并符合现行所有标准规范的要求.

KDS集团将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意.

日本株式会社大真空KDS石英谐振器所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.

消除事故和环境方面的偶发事件,减少废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源,对紧急事件做好充分准备,以便及时做出反应.KDS晶振,贴片晶振,DSX211SH晶振

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KDS-6

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