Statek晶振,OSC晶振,SQXO-2AT晶振,SQXO-2晶振SQXO2ATHG晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅
	贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定
 
	 
	 
						项目 
					 
						符号 
					 
						SQXO-2AT规格说明 
					 
						条件 
					 
						输出频率范围 
					 
						f0 
					 
						500 kHz to 120 MHz 
					 
						请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 
					 
						电源电压 
					 
						VCC 
					 
						1.60 V to 3.63 V 
					 
						请联系我们以了解更多相关信息 
					 
						储存温度 
					 
						T_stg 
					 
						-55℃ to   +125℃ 
					 
						裸存 
					 
						工作温度 
					 
						T_use 
					 
						G: -40℃ to   +85℃ 
					 
						请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com 
					 
						H: -40℃ to   +105℃ 
					 
						J: -40℃ to   +125℃ 
					 
						频率稳定度 
					 
						f_tol 
					 
						J: ±50 × 10-6 
					 
						 
					 
						L: ±100 × 10-6 
					 
						T: ±150 × 10-6 
					 
						功耗 
					 
						ICC 
					 
						3.5 mA Max. 
					 
						无负载条件、最大工作频率 
					 
						待机电流 
					 
						I_std 
					 
						3.3μA Max. 
					 
						ST=GND 
					 
						占空比 
					 
						SYM 
					 
						45 % to 55 % 
					 
						50 % VCC 极, L_CMOS≦15   pF 
					 
						输出电压 
					 
						VOH 
					 
						VCC-0.4V Min. 
					 
						 
					 
						VOL 
					 
						0.4 V Max. 
					 
						 
					 
						输出负载条件 
					 
						L_CMOS 
					 
						15 pF Max. 
					 
						 
					 
						输入电压 
					 
						VIH 
					 
						80% VCCMax. 
					 
						ST终端 
					 
						VIL 
					 
						20 % VCCMax. 
					 
						上升/下降时间 
					 
						tr / tf 
					 
						4 ns Max. 
					 
						20 % VCCto 80 % VCC极,   L_CMOS=15 pF 
					 
						振荡启动时间 
					 
						t_str 
					 
						3 ms Max. 
					 
						t=0 at 90 % 
					 
						频率老化 
					 
						f_aging 
					 
						±3 × 10-6/ year Max. 
					 
						+25 ℃, 初年度,第一年 
					
		
			
	
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
			
				 
			
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
			
				 
			
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
		
	
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
| 项目 | 符号 | SQXO-2规格说明 | 条件 | 
| 输出频率范围 | f0 | 10 kHz to 2 MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | 
| 电源电压 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 请联系我们以了解更多相关信息 | 
| 储存温度 | T_stg | -55℃to +125℃ | 裸存 | 
| 工作温度 | T_use | G: -40℃to +85℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com | 
| H: -40℃to +105℃ | |||
| J: -40℃to +125℃ | |||
| 频率稳定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | 
 | 
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 | 
| 待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND | 
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF | 
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | 
 | 
| VOL | 0.4 V Max. | 
 | |
| 输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | 
 | 
| 输入电压 | VIH | 80% VCCMax. | ST终端 | 
| VIL | 20 % VCCMax. | ||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF | 
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % | 
| 频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6/ year Max. | +25℃,初年度,第一年 | 
| 项目 | 符号 | SQXO2ATHG规格说明 | 条件 | 
| 输出频率范围 | f0 | 32.768 kHz to 50 MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | 
| 电源电压 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 请联系我们以了解更多相关信息 | 
| 储存温度 | T_stg | -55℃to +125℃ | 裸存 | 
| 工作温度 | T_use | G: -40℃to +85℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com | 
| H: -40℃to +105℃ | |||
| J: -40℃to +125℃ | |||
| 频率稳定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | 
 | 
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 | 
| 待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND | 
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF | 
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | 
 | 
| VOL | 0.4 V Max. | 
 | |
| 输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | 
 | 
| 输入电压 | VIH | 80% VCCMax. | ST终端 | 
| VIL | 20 % VCCMax. | ||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF | 
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % | 
| 频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6/ year Max. | +25℃,初年度,第一年 | 

 
	

 
	DIP 产品
已变形的石英晶振引脚不能插入板孔中。请勿施加过大压力,以免引脚变形。
	(5)SOJ 产品和SOP 产品
请勿施加过大压力,以免石英晶振引脚变形。已变形的石英晶振引脚焊接时会造成浮起。尤其是SOP产品需要更加小心处理。
9.4.超声波清洗
(1)使用AT-切割晶体和声表面滤波器(SAW)/声表面谐振器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶振特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。
(2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶振可能受到破坏。
(3)请勿清洗开启式晶振产品
(4)对于可清洗晶振产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。
(5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
10.操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面,Statek晶振,OSC晶振,SQXO-2AT晶振,SQXO-2晶振SQXO2ATHG晶振
 
Statek晶振环保理念
STATEK晶振公司的目标是保证石英晶振,贴片晶振,晶体振荡器,有源晶振产品继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小,在生产过程中不断节约能源和资源,努力实现环境管理体系与环境行为持续改进.
STATEK晶振承诺保护环境,重视员工、客户和公众的健康和安全.我们从事任何活动,都要以注重安全和环保方式,并考虑到生态系统的复杂性和相关性.
建立目标指标、监测程序,利用最好的管理手段,应用节约成本的技术,持续改进我们的环境表现.我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化.
STATEK晶振环保环境与发展对策:实行可持续发展战略.采取有效措施,防治工业污染.提高能源利用效率,改善能源结构.运用经济手段保护环境.大力推进科技进步,加强环境科学研究,积极发展环境保护产业.健全环境法规,强化环境管理.加强环境教育,不断提高环境意识
 
                
            

 
 
                        

 高利奇晶振,有源晶振,MCSO晶振
高利奇晶振,有源晶振,MCSO晶振 Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx193晶振,Tx214晶振
Connorwinfield晶振,压控温补晶振,Tx193晶振,Tx214晶振 Statek晶振,有源晶振,CXOX晶振,CXOXHG晶振
Statek晶振,有源晶振,CXOX晶振,CXOXHG晶振 Greenray晶振,恒温晶体振荡器,YH1320/1321晶振
Greenray晶振,恒温晶体振荡器,YH1320/1321晶振 SiTime晶振,可编程贴片晶振,SiT9103晶振,SiT9104晶振,SiT9105晶振
SiTime晶振,可编程贴片晶振,SiT9103晶振,SiT9104晶振,SiT9105晶振


