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超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
	 
 
	 
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | 
| 输出频率范围 | f0 | 15-2100MHZ | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | 
| 电源电压 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 请联系我们以了解更多相关信息 | 
| 储存温度 | T_stg | -55℃to +125℃ | 裸存 | 
| 工作温度 | T_use | G: -40℃to +85℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.guanjiedz.com | 
| H: -40℃to +105℃ | |||
| J: -40℃to +125℃ | |||
| 频率稳定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | 
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| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 | 
| 待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND | 
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF | 
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | 
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| VOL | 0.4 V Max. | 
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| 输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | 
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| 输入电压 | VIH | 80% VCCMax. | ST终端 | 
| VIL | 20 % VCCMax. | ||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF | 
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % | 
| 频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6/ year Max. | +25 ℃, 初年度,第一年 | 
	 
 
	 
	 
	 
 
	 
1.操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
2.使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 。
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。
NDK晶振,贴片晶振,NV5032S晶振
 
 
日本电波工业株式已经建立和正在推动一项中期计划的具体减排目标,以减少二氧化碳的排放是全球变暖的原因。它也有助于减少(抑制)CO2排放量,通过使用最先进的技术,实现最小化,以及减少石英晶体谐振器,石英晶体的重量和功耗,以支持社会的需要。
日本电波工业株式NDK晶振的新概念的石英晶振,温补晶振,石英晶体振荡器器件。通过贴片晶振,石英晶振等产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措。制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—金属面有源晶振这些是倡议的支柱。
制造业-环保生产—我们将介绍一些情况下,发现CO2排放量的产品生命周期使用环境LCA方法。贴片晶振,低损耗晶振,NV5032S晶振
日本电波工业株式NDK晶振所说的LCA指的是“生命周期评估”,它包括评估产品的寿命。在这里,产品的生命不仅仅是产品本身的制造阶段,而是包括原料组成产品的零件/材料的开采阶段,包括石英晶体,金属面六脚晶振,差分晶振,有源晶振产品的制造阶段,销售阶段,包括到产品交付给用户使用的阶段,包括产品使用由用户和维修/维护参与它,和处置阶段,通过用户废弃产品回收,回收或处置。在ISO14000系列环境标准中也建立了国际标准。NDK晶振,贴片晶振,NV5032S晶振
	 
	 
	


 
 
                        
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