有源SMD晶振,EH2545ETTTS-8M TR晶振,压电石英晶体

产品简介

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

产品详情

日蚀晶振,贴片晶振,EH2545ETTTS-8M TR晶振有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

牵引范围（VCXO）：是针对VCXO压控晶振的参数。

带有压控功能的晶振为（VCXO），即32.768KHZ晶振通过调节控制电压改变输出频率。牵引范围为变化频率(增大或减少)与中心频率的比值。此值一般用ppm表示。通常牵引范围大约为100 - 200ppm，取决于VCXO压控晶振的结构和所选择的晶体。

日蚀晶振规格	单位	晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	10MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C～+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C～+85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW～100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6(标准), (±15 × 10-6～±50 × 10-6可用)	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.guanjiedz.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

EH2545ETTTS-8.000M TR 7050 XO

如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该贴片晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：

方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过晶体具有较低负载电容（CL）。

方法2：采用小电阻（RR）的石英晶体。

方法3：使用镉和CG的不等价的设计。

我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。

日蚀晶振,贴片晶振,EH2545ETTTS-8M TR晶振

日蚀晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的7.0*5.0mm晶振遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.

集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.尽可能的采用无害的石英晶振, 晶体振荡器,有源晶振压电石英晶体元器件、7050晶振的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.

根据需要,提高环境技术、材料和晶振晶体,5070贴片振荡器产品的发展信息及环境管理活动的公开性.日蚀晶振公司将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.

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